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71.
我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内(0.003~1Hz)的低频等温力学谱和温度谱的测量.我们研究的形状记忆合金NiTi(Ni50.2at%)试样长34mm,直径1mm细丝.经一定热处理,分别在333K.343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明:频率越小,内耗越大,也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率(1Hz,0.1Hz,0.01Hz)的内耗,结果清楚地表明:不同频率下,内耗峰都出现在372K(99℃)。而且频率越低,峰高越高。这是具有相变峰的特点:相变峰的峰温不随测量频率不同而变化,相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0.5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。 相似文献
72.
73.
第五讲新型光纤水听器和矢量水听器 总被引:2,自引:0,他引:2
光纤水听器和矢量水听器作为当前水声研究领域最具有代表性的两大技术倍受业界关注。光纤水听器的重要贡献在于,从一个全新的角度出发,试图解决传统的水声传感和声纳数据传输一体化设计和实现的一系列问题,这有助于改善声纳系统的可靠性,并且有可能降低其制造、使用和维护的总成本。矢量水听器则由于其特有的指向性和矢量一相位处理方法,在低频和甚低频水声微弱目标探测方面具有潜在的优势.经过不懈的努力,光纤水听器和矢量水听器系统已经从实验室逐渐进入到工程应用阶段.这些对未来声纳系统的发展会产生相当重要的影响.文章尝试从声纳设计的角度对这两者的技术现状进行简要综述,包括它们各自的物理基础、工作原理、关键技术和应用领域. 相似文献
74.
空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
75.
在计算机视觉理论基础上发展起来的视觉检测(vision inspection)技术具有非接触、速度快、精度适中、可实现在线等优点,已广泛地应用于工业产品的在线检测。在计算机视觉检测技术中CCD摄像机是一个最关键的器件,其参数是否准确决定了检测的精度。所以,摄像机标定是视觉检测技术中最基本的也是最重要的一步。在比较其他标定方法的基础上,为了解决传统标定方法对螺纹图像测量系统所带来的一系列问题,采用了一种新的图像测量系统的标定方法——网格式平行线标定方法,该方法运用了CCD亚像素细分技术及调焦技术,可直接得到纵横2个方向的像素,经过理论分析及实验结果均表明,采用该方法具有标定简单、精度高、重复性好等优点,是一种较好的螺纹图像测量系统标定方法。 相似文献
76.
在保持非负定性不变的前提下,本文对矩阵每一元素容许多大的扰动作了进一步的研究, 将本文的结论和C.R.Johnson提出的部分正定阵的正定完备化进行比较,容易发现对已知的正定矩阵求扰动,本文的结论比用C.R.Johnson的正定完备化计算扰动形式上更简单,同时也给出了不同于C.R.Johnson的部分正定阵的正定完备化表示的另外一个公式,推出了这些正定完备化矩阵应具有的若干性质. 相似文献
77.
本文指出 M.Jahangiri的评论[Mathematical Reviews 98e:30020]错误,并且导出解析函数p叶星形性与p叶凸性的某些充分条件. 相似文献
78.
79.
复合体系方法测量液体力学谱 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了采用复合体系,测量得到凝聚态物质从固态到液态连续变化力学谱的一种新的实验方法。以簧振动为例,给出了解析的计算公式,以及应用条件。通过进一步综合分析,得到具有更广应用范围的近似公式,可以近似应用于其他不同的振动模式,如低频扭摆。应用新的测量方法,给出了典型小分子玻璃材料甘油和碳酸丙稀从玻璃态到液态的力学谱,观察到甘油和碳酸丙稀玻璃化转变、碳酸丙稀的再结晶、熔化和挥发的过程;测量得到挥发过程中水的质量随时间精确变化的曲线。最后,本文给出了新方法的一些应用展望。 相似文献
80.
采用固相法在较低温度下合成了Eu2+激活的Ca2SiO3Cl2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca2SiO3Cl2晶体中占据两种不同Ca2+格位的Eu2+离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu2+浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu2+浓度为0.005mol-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca2SiO3Cl2:Eu2+可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。 相似文献