非平稳NA序列部分和的精确渐近性

本文探讨了非平稳NA序列部分和的精确渐近性．以前的文献在讨论NA序列此类极限性质时都附加有强平稳条件的限制,这必然会给一些问题的研究带来不便．周知,非平稳NA序列在许多实际问题中是大量存在的,所以解除强平稳条件的束缚具有较大的理论和实际意义,这正是本文的目的之所在,同时本文也将已有的一些结果包含成为特殊情形．     

A spot-size transformer based on mode interference

A novel mode-size transformer based on interference between guided and leaky modes is proposed and analyzed. Simulation shows significant improvement in spot-size transform efficiency per unit length, in comparison with the conventional tapered waveguide mode size converters based on mode evolution. Owing to its structural simplicity, easy fabrication is another merit of the new spot-size transformer     

ASIC可靠性管理探讨

本文简要阐述了可靠性管理的概念，在我所技术质量管理的基础上，从产品立项、设计、设计评审、流片、封装、考核到鉴定使用全过程，对ASIC可靠性管理进行了分析和探讨，强调各部门必须保证工作质量，强化可靠性管理，通过管理把高可靠性注入到产品中去。     

CO2激光器线偏振光输出腔内起偏器的研究

混合InGaAs光电二极管阵列ETX128FPA是16384元InGaAs焦平面阵列,供1.0～1.7μm波段内的近红外成象使用。这种128×128元的二维光电二极管阵列是使用钢冲击结合技术把InGaAs材料结合到高级的CMOS倍增管上而制成的。     

半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析

本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。     

水稻花后衰退珠心和胚乳发育初期Ca2+的超微细胞化学定位

应用焦锑酸盐沉淀技术对水稻花后衰退珠心和胚乳发育初期进行了Ca^2 的超微细胞化学定位。结果显示在初始衰退的珠心细胞中Ca^2 主要分布于液泡膜上和核内；在衰退中期的珠心细胞中，Ca^ 主要分布在核膜、液泡膜及质膜上；在严重衰退的珠心细胞，Ca^2 仅存在于液泡中。珠心降解的Ca^2 跨过胚囊壁，通过质外体向胚乳内运输；发育初期的胚乳细胞，Ca^2 主要位于胞间隙，线粒体和液泡中也有少量分布。讨论了Ca^2 与珠心PCD的关系。     

互联网技术和国际互联网

本文先是说明internet、Internet和intranet各自的涵义和相互的区别 ,并简单介绍互联网的几项基本规约 ,包括IP、TCP、UDP、FTP、TFTP、SMTP和HTTP。其次说明WWW及其使用的超文本 /超媒体、浏览器和客户 /服务器技术的作用 ,解释Internet的骨干网和接入网以及内部网与防火墙。最后推测Internet的应用发展前景。     

生物小分子与铜锌超氧化物歧化酶相互作用的波谱学研究及其应用

本工作以ESR和NMR为主要手段,并结合其它生化方法,考察了氨基酸、核酸碱基、糖等生命基本物质,和抗坏血酸等生命必需物质与钢锌超氧化物歧化酶的相互作用,实验观测到氨基酸、核酸碱基和抗坏血酸在水溶液中可以与酶中的Cu²⁺作用而使其脱离活性部位,以小分子络合物形式游离在溶液中,同时使酶失活,脱离活性部位的Cu²⁺的比例和酶的失活程度取决于小分子配体的加入量及其与Cu²⁺的络合能力。此外,首次尝试使用ESR方法,并借助氨基酸与酶的作用,考察了铜锌超氧化物歧化酶在盐酸胍变性和热变性过程中的构象变化行为,结果表明这一方法是直观而有效的。     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）

用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。     

Dynamic oxide voltage relaxation spectroscopy

A new method for trap characterization of oxidized silicon is described. The Dynamic Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (DOVRS) is an improved version of the formerly proposed Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (OVRS) technique which applies a periodic long duration constant current for tunneling injection. It has been demonstrated that the new technique can be used not only to separate and identify the oxide trap from interface trap, but also to separate and determine the centroid from the oxide trap density generated in the MOS system by the tunneling current stress. In the pulse constant current mode, the OVRS measurement can be completed instead of using the double current-voltage technique. Thus the new method results in more accurate and quicker measurements of the oxide trap centroid. Analytical expressions for computing the paramaters of the interface and oxide traps are derived. The effect of the channel carrier mobility on the spectroscopy is also considered. Two types of oxide and two types of interface traps were observed at a pulse constant Fowler-Nordheim current stress by the new method of DOVRS