全文获取类型
收费全文 | 115832篇 |
免费 | 19225篇 |
国内免费 | 12405篇 |
专业分类
化学 | 61487篇 |
晶体学 | 916篇 |
力学 | 5752篇 |
综合类 | 512篇 |
数学 | 10096篇 |
物理学 | 37231篇 |
无线电 | 31468篇 |
出版年
2024年 | 503篇 |
2023年 | 3060篇 |
2022年 | 3684篇 |
2021年 | 4614篇 |
2020年 | 4759篇 |
2019年 | 4180篇 |
2018年 | 3760篇 |
2017年 | 3591篇 |
2016年 | 5219篇 |
2015年 | 5476篇 |
2014年 | 6527篇 |
2013年 | 8301篇 |
2012年 | 9951篇 |
2011年 | 10020篇 |
2010年 | 7018篇 |
2009年 | 7033篇 |
2008年 | 7555篇 |
2007年 | 6672篇 |
2006年 | 6402篇 |
2005年 | 5338篇 |
2004年 | 3758篇 |
2003年 | 3123篇 |
2002年 | 2868篇 |
2001年 | 2465篇 |
2000年 | 2313篇 |
1999年 | 2650篇 |
1998年 | 2300篇 |
1997年 | 2125篇 |
1996年 | 2076篇 |
1995年 | 1763篇 |
1994年 | 1562篇 |
1993年 | 1293篇 |
1992年 | 1165篇 |
1991年 | 976篇 |
1990年 | 756篇 |
1989年 | 569篇 |
1988年 | 447篇 |
1987年 | 352篇 |
1986年 | 354篇 |
1985年 | 290篇 |
1984年 | 181篇 |
1983年 | 130篇 |
1982年 | 112篇 |
1981年 | 66篇 |
1980年 | 49篇 |
1979年 | 21篇 |
1976年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
1957年 | 31篇 |
1922年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
211.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
212.
用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米多层薄膜.利用透射电子显微镜以及吸收光谱对Au/SiO2复合薄膜的微观结构、表面形貌及光学性能进行了表征和测试.研究结果表明:单层Au/SiO2薄膜中Au沉积时间小于10s时,分散在SiO2中的Au颗粒随Au的沉积时间的延长而增大;当沉积时间超过10s后,Au颗粒的尺寸几乎不随沉积时间变化,但Au颗粒的形状由网络状结构变为薄膜状结构.[Au(t1)SiO2(600)]×5多层薄膜在540-560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,且吸收峰的强度随Au的沉积时间增加而增强.基于修正后的Maxwell-Garnett (M-G)有效媒质理论,讨论了金属颗粒的形状对等离子共振吸收峰的峰位和强度的影响.模拟的吸收光谱与实验吸收光谱形状、趋势及吸收峰位相符合. 相似文献
213.
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强
关键词:
ZnO
薄膜生长
反应磁控溅射
等离子体发射光谱 相似文献
214.
在弱场图像下,利用Racah不可约张量算符方法得到了三角对称3d4/3d6电子组态的210阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵、最近邻点电荷模型晶体结构常量公式和电子顺磁共振g因子公式.研究了LiCoO2晶体和掺入Ni的LiCoO2:Ni晶体中Co3+的基态能级、晶体结构和电子顺磁共振g因子.考虑了LiCoO2晶体和LiCoO2:Ni晶体中自旋单重态和三重态对Co3+基态能级的影响,讨论了LiCoO2晶体和在LiCoO2晶体中掺杂Ni后Co3+局域结构常量大小的变化是引起Co3+的基态能级变化的主要原因,理论和实验都证实了这一点.还计算了掺杂前后的电子顺磁共振g因子,计算结果与实验值符合得较好. 相似文献
215.
216.
217.
Junxiang Zhang Yabin Dong Haihong Wang Jiangrui Gao 《量子光学学报》2006,12(B08):74-74
The quantum coherence effects of the transition Fe = 2←→Fg = 3 depending on the polarization of the coupling and probe beam are observed in a Cs vapor cell. The splitting of electromagnetically induced transparency (EIT) window is observed when the degeneracy of two-level system is broken using a magnetic field. It is also shown that the splitted transparency points of two of three windows are shifted with the intensity of magnetic field ( i. e. Zeeman splitting in the upper and lower levels ) increasing. On the contrary, when we fix the intensity of magnetic field, and increase the Rabi frequency of the coupling beam, the splitted transparency peaks become wider. A qualitative agreement between experiment and theory is found. 相似文献
218.
磷钨酸乙醇染色法在嗜铬颗粒电镜X射线显微分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过比较常规透射电镜制样法、快速冷冻固定-冷冻超薄切片法及磷钨酸乙醇(EPTA)染色法在嗜铬颗粒透射电镜X射线显微分析中的应用,发现磷钨酸乙醇染色法能使嗜铬颗粒电子着色,从而较好地显示嗜铬颗粒的超微结构。同时磷钨酸乙醇染色法也以在一定程度上原位保留生物样品中元素,可以应用于检测样品元素含量的变化或比较样品元素含量的组间差别,提示磷钨酸乙醇染色法是一种可应用于透射电镜X射线显微分析的经济简便的生物样品制备方法。 相似文献
219.
220.
Buttari D. Chini A. Meneghesso G. Zanoni E. Moran B. Heikman S. Zhang N.Q. Shen L. Coffie R. DenBaars S.P. Mishra U.K. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(2):76-78
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs 相似文献