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941.
The correlation between surface morphological properties of the GaN epilayers and the surface conditions of 6H-SiC (0001) substrates etched in H2, C2H4/H2, and HCl/H2 was studied. Etching 6H-SiC in H2 produced a high quality surface with steps and terraces, while etching in HCl/H2 produced either a rough surface with many pits and hillocks or a smooth surface similar to that etched in H2, depending on the HCl concentration and temperature. The GaN epilayers were subsequently deposited on these etched substrates using either a low temperature GaN or a high temperature AlN buffer layer via MOCVD. The substrate surface defects increased the density and size of the “giant” pinholes (2–4 μm) on GaN epilayers grown on a LT-GaN buffer layer. Small pinholes (<100 nm) were frequently observed on the samples grown on a HT-AlN buffer layer, and their density decreased with the improved surface quality. The non-uniform GaN nucleation caused by substrate surface defects and the slow growth rate of planes of the islands were responsible for the formation of “giant” pinholes, while the small pinholes were believed to be caused by misfit dislocations.  相似文献   
942.
943.
多媒体钢琴标准音发声器   总被引:1,自引:1,他引:0  
提出了一种利用多媒体计算机组成的钢琴标准音发生器,利用声卡可产生对应于钢琴1-88键基音的标准音,而显示器则显示相应的界面,通过鼠标或外接脚踏开关可对发生器进行控制和操作。该发生器可用于钢琴的音准调整。  相似文献   
944.
带模糊约束的最小费用流问题   总被引:4,自引:1,他引:3  
本文首次提出了带模糊约束的最小费用流问题,建立了相应的数学模型并给出了求解这一模型的有关算法。最后,给出了一个具体实例。  相似文献   
945.
最佳跳频序列族的设计与分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文提出了基于p元广义GMW序列和p元Kasami序列构造跳频序列族的方法,证明了基于广义GMW序列所构造的跳频序列族具有最佳Hamming相关特性,而基于Kasami序列所构造的跳频序列族不具有最佳Hamming相关特性。  相似文献   
946.
利用不完全自锁模激光研究C60的反饱和吸收效应   总被引:3,自引:1,他引:2  
罗挺  赵继然 《光学学报》1994,14(1):3-25
本文报道首次采用色心晶体的不完全自锁模激光(1064nm)对C60分子反饱和吸收效应的研究,实验结果与采用平均过程的研究方法是一致的,文中还讨论了C60分子反饱和吸收效应产生的原因。  相似文献   
947.
平面多项式系统及其相伴系统   总被引:8,自引:0,他引:8  
谢向东  张剑峰 《数学研究》2004,37(2):161-166
引进平面多项式系统的相伴系统的概念 ,分析了多项式系统与其相伴系统之间在极限环不存在性 ,唯一性 ,中心焦点的判定等问题上的相似之处和不同之处 ,提出了几个公开问题 .  相似文献   
948.
采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.  相似文献   
949.
吴明芬  谢祥云 《数学杂志》1997,17(1):122-126
本文讨论了一类可换格序半群的同余性质。给出了这类格序半群同余的表示和同态分解定理。这个结论一般化了[1]和[2]中的结果。  相似文献   
950.
新建成了一套热煤气脱硫剂试验台架系统,加压流化床操作,已成功地投入运行。进行了钛酸锌脱硫剂的初步试验,并取得了4个循环试验的结果。  相似文献   
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