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941.
Z. Y. Xie C. H. Wei S. F. Chen S. Y. Jiang J. H. Edgar 《Journal of Electronic Materials》2000,29(4):411-417
The correlation between surface morphological properties of the GaN epilayers and the surface conditions of 6H-SiC (0001)
substrates etched in H2, C2H4/H2, and HCl/H2 was studied. Etching 6H-SiC in H2 produced a high quality surface with steps and terraces, while etching in HCl/H2 produced either a rough surface with many pits and hillocks or a smooth surface similar to that etched in H2, depending on the HCl concentration and temperature. The GaN epilayers were subsequently deposited on these etched substrates
using either a low temperature GaN or a high temperature AlN buffer layer via MOCVD. The substrate surface defects increased
the density and size of the “giant” pinholes (2–4 μm) on GaN epilayers grown on a LT-GaN buffer layer. Small pinholes (<100
nm) were frequently observed on the samples grown on a HT-AlN buffer layer, and their density decreased with the improved
surface quality. The non-uniform GaN nucleation caused by substrate surface defects and the slow growth rate of
planes of the islands were responsible for the formation of “giant” pinholes, while the small pinholes were believed to be
caused by misfit dislocations. 相似文献
942.
943.
944.
带模糊约束的最小费用流问题 总被引:4,自引:1,他引:3
本文首次提出了带模糊约束的最小费用流问题,建立了相应的数学模型并给出了求解这一模型的有关算法。最后,给出了一个具体实例。 相似文献
945.
最佳跳频序列族的设计与分析 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出了基于p元广义GMW序列和p元Kasami序列构造跳频序列族的方法,证明了基于广义GMW序列所构造的跳频序列族具有最佳Hamming相关特性,而基于Kasami序列所构造的跳频序列族不具有最佳Hamming相关特性。 相似文献
946.
利用不完全自锁模激光研究C60的反饱和吸收效应 总被引:3,自引:1,他引:2
本文报道首次采用色心晶体的不完全自锁模激光(1064nm)对C60分子反饱和吸收效应的研究,实验结果与采用平均过程的研究方法是一致的,文中还讨论了C60分子反饱和吸收效应产生的原因。 相似文献
947.
平面多项式系统及其相伴系统 总被引:8,自引:0,他引:8
引进平面多项式系统的相伴系统的概念 ,分析了多项式系统与其相伴系统之间在极限环不存在性 ,唯一性 ,中心焦点的判定等问题上的相似之处和不同之处 ,提出了几个公开问题 . 相似文献
948.
949.
950.