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901.
902.
多孔硅发光机制的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应,推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了PS光致发光的实验现象。 相似文献
903.
本文研究分组交换数据网与ISDN互连的性能分析,文中考虑了分组肉与窄带ISDN和宽带ISDN互连时信关所应完成的功能,分别给出了两种情况下的信关排队模型;在信关存储容量分别为有限和无限的情况下,对两种模型进行了求解,给出了阻塞概率和平均延迟的表达式。对于与B-ISDN互连的情况,提出了用开关确定性过程来描述输出排队的分组到达流,并提出了一种小时隙方法分析SDP/D/1排队。 相似文献
904.
小孔矩形腔体屏蔽特性的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文提出了有孔腔体远、近场电磁屏蔽效能的计算方法,体研究了矩形腔体的屏蔽特性,讨论了各类孔对屏蔽能的影响程度。数值结果表明,理论计算与实验数据吻合较好。 相似文献
905.
本文将正实参数的最大熵图像重建的剑桥算法推广到复参数,此算法能较好的地恢复复参数“图像”。文中还给出了此算法在逆散射成像中应用的计算机模拟实验结果。 相似文献
906.
Voigt线型的微分消卷积 总被引:2,自引:1,他引:1
通过频域内的近似处理得到了洛仑兹线型微分消卷积的实用算符。推广到高斯、洛仑兹线型的复合情形即Voigt线型,亦可得到它的消卷积算符。把所得算符应用于单峰、多峰情形,对各种不同的组合形式,分别得到了消卷积谱,其分辨率提高因子K与复合线型中洛仑兹成分的多少有关。 相似文献
907.
908.
本文针对一般FD-TD方法分析计算二维理想导体散射问题所遇到散射体边角处难以精确处理的缺点进行了改进。将边角处总场近似解析解直接引入FD-TD法差分公式,得到了有关修正系数,为了检验此方法的有效性,有无限长导体方柱为例分别用一般FD-TD法和本文的FD-TD方法进行了分析研究,并与MOM法进行了比较,所得结果说明改进后的FD-TD方法对分析计算导体边角附近电流分布特性是较有效的。 相似文献
909.
ASTUDYOFJ-INTEGRALOFTHEORTHOTROPICCOMPOSITEMATERIALWangAi-qin(王蔼勤);FengBao-lian(冯宝莲);YangWei-yang(杨维阳)(TaiyuanHeavyMachinery.... 相似文献
910.
K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量 总被引:4,自引:2,他引:2
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N. 相似文献