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921.
In this paper, the Fourier collocation method for solving the generalized Benjamin-Ono equation with periodic boundary conditions is analyzed. Stability of the semi-discrete scheme is proved and error estimate in H1/2-norm is obtained. 相似文献
922.
Zhu Qing Nan Bo Shi Yang Zhu Yinggang Wu Sisi He Liqing Deng Yonghong Wang Liping Chen Quanqi Lu Zhouguang 《Journal of Solid State Electrochemistry》2017,21(10):2985-2995
Journal of Solid State Electrochemistry - Na3V2(PO4)3/C composite nanofibers are prepared successfully through a coaxial electrospinning technique and subsequent calcination. The diameter of the... 相似文献
923.
924.
925.
926.
An efficient high-capacity quantum secret sharing scheme is proposed following some ideas in quantum dense coding with two-photon entanglement. The message sender, Alice prepares and measures the two-photon entangled states, and the two agents, Bob and Charlie code their information on their photons with four local unitary operations, which makes this scheme more convenient for the agents than others. This scheme has a high intrinsic efficiency for qubits and a high capacity. 相似文献
927.
Zhao Qian Feng Songlin Ning Dong Zhu Haijun Wang Zhiming Deng Yuanming 《Journal of Crystal Growth》1999,200(3-4)
In situ ultra high vacuum scanning probe microscopy (SPM) and low-temperature photoluminescence (PL) studies have been performed on Si-doped self-organized InAs/GaAs quantum dots samples to investigate the Si doping effects. Remarkably, when Si is doped in the sample, according to the SPM images, more small dots are formed when compared with images from undoped samples. On the PL spectra, high-energy band tail which correspond to the small dots appear, with increasing doping concentration, the integral intensity of the high-energy band tail account for the whole peak increase too. We relate this phenomenon to a model that takes the Si atom as the nucleation center for QDs formation. 相似文献
928.
929.
研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8μm深的有源区硅台面和采用1.5~1.6μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上。此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15 V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA。 相似文献
930.
化学拆分的新方法研究 总被引:8,自引:0,他引:8
主要介绍了近年来发展起来的两种化学拆分新方法,包括拆分和组合拆分;并简要论述了化学拆分中的手性识别现象,以及化学拆分方法在手性药物制备中的应用。 相似文献