首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9347篇
  免费   1542篇
  国内免费   862篇
化学   5105篇
晶体学   42篇
力学   435篇
综合类   44篇
数学   926篇
物理学   2916篇
无线电   2283篇
  2024年   42篇
  2023年   248篇
  2022年   283篇
  2021年   379篇
  2020年   422篇
  2019年   336篇
  2018年   288篇
  2017年   292篇
  2016年   402篇
  2015年   456篇
  2014年   511篇
  2013年   665篇
  2012年   802篇
  2011年   830篇
  2010年   565篇
  2009年   535篇
  2008年   572篇
  2007年   540篇
  2006年   500篇
  2005年   407篇
  2004年   316篇
  2003年   226篇
  2002年   235篇
  2001年   170篇
  2000年   178篇
  1999年   197篇
  1998年   164篇
  1997年   181篇
  1996年   173篇
  1995年   150篇
  1994年   129篇
  1993年   126篇
  1992年   94篇
  1991年   80篇
  1990年   67篇
  1989年   39篇
  1988年   37篇
  1987年   34篇
  1986年   16篇
  1985年   28篇
  1984年   11篇
  1983年   9篇
  1982年   6篇
  1981年   6篇
  1980年   1篇
  1979年   2篇
  1916年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
901.
Ho3+/Tm3+/Yb3+ tri-doped glass ceramics with white light emitting have been developed and demonstrated. Pumped by 980 nm laser diode (LD), intensive red, green and blue up-conversions (UC) were obtained. The green emission is assigned to Ho3+ ion and the blue emission is assigned to Tm3+ ion, whereas the red emission is the combination contribution of the Ho3+ and Tm3+ ions. The RGB intensities could be adjusted by tuning the rare-earth ion concentration and pump power intensity. Thus, multicolor of the luminescence, including perfect white light with CIE-X=0.329 and CIE-Y=0.342 in the 1931 CIE chromaticity diagram can be obtained in 0.15 Ho3+/0.2Tm3+/3Yb3+ tri-doped glass ceramics embedding BaF2 nanocrystals pumped by a single infrared laser diode source of 980 nm at 500 mW. The up-conversion luminescence mechanism of Yb3+ sensitize Ho3+ and Tm3+ ions and the energy transfer from Ho3+ to Tm3+ in oxy-fluoride silicate glass ceramics were analyzed.  相似文献   
902.
We investigated the electronic properties of CeSi5 by band structure calculation based on the density functional theory within LDA, LDA+U, and fully relativistic schemes. The calculated band structure scheme shows that the spin-orbit coupling splits the Ce 4f states into three manifolds. When the on-site Coulomb potential is added to the Ce-derived 4f orbitals, the degeneracy between the f orbitals would be lifted and they are split into lower Hubbard bands and upper Hubbard bands. It was found that quasiparticle mass enhancement inferred by comparing γ to the density of states (DOS) at the Fermi level indicates the effective mass of CeSi5 is enhanced with the fully relativistic results.  相似文献   
903.
银杏叶中总硒和各种溶解形态硒含量随着季节而变化,实验研究了不同采摘期银杏叶中总硒及不同溶解态硒含量分布.7月、9月和霜降之后采摘的银杏叶总硒的含量分别为1.873,2.136,0.815 mg·kg-1,硒的形态以水溶态硒为主.银杏叶粗多糖含量分布依次为9月>7月>11月.7月份采集的银杏叶中得到粗多糖为棕褐色固体粉末...  相似文献   
904.
李水清  汪菜  韩彦军  罗毅  邓和清  丘建生  张洁 《物理学报》2011,60(9):98107-098107
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题. 关键词: 粗化 氮化镓 p型氮化镓 发光二极管  相似文献   
905.
提出应用级联倍频方法提高倍频系统输出稳定性,并就该方法的有效性进行了理论分析和模拟计算.分析和计算结果不但证明级联倍频方法能实现倍频系统稳定输出,而且还表明可以通过仔细调节第一块倍频晶体中波矢方向 k 与光轴间夹角、两块倍频晶体间的间隔,能调节改变实现倍频系统最稳输出时所需第二块晶体的理论计算长度,使之与第二块倍频晶体的实际加工长度一致,最终实现系统稳定倍频输出.级联倍频方法在实现高输出稳定性的同时能实现高的倍频转换效率,对应用于光参量啁啾脉冲放大系统的高稳定抽运源系统的设计建造具有重要参考意义. 关键词: 级联倍频 稳定倍频输出 光参量啁啾脉冲放大  相似文献   
906.
陈文兵  韩满贵  邓龙江 《物理学报》2011,60(1):17507-017507
使用电化学脉冲沉积法制备了磁晶各向异性易磁化方向(c轴)垂直纳米线长轴方向的钴纳米线.受到磁晶各向异性、静磁相互作用等因素与形状各向异性相互竞争的结果,纳米线阵列的磁滞回线显示出较弱的磁各向异性.此外,在2—18 GHz频率范围内,纳米线/石蜡复合材料的介电色散谱的虚部在5 GHz处有一个主峰,在10 GHz附近有一个较弱的峰;德拜弛豫特性和材料的电导率对这两个峰的形成均有贡献.同时,其磁导率色散谱的虚部在频率为6.1 GHz处有一个主峰,在10 GHz以上有两个较微弱的峰. 前一个峰源于自 关键词: 钴纳米线 介电色散谱 磁导率色散谱 微波吸收剂  相似文献   
907.
邹文康  陈林  周良骥  王勐  杨礼兵  谢卫平  邓建军 《物理学报》2011,60(11):115204-115204
以丝阵内爆零维模型为基础,采用Pspice模拟行为建模方法,建立了丝阵内爆动态电感与Z箍缩驱动器耦合的全电路模型,实现驱动器放电过程与丝阵内爆过程的自洽求解,并研究了丝阵参数、电路参数对内爆过程的影响.结果表明:丝阵负载与驱动器存在强耦合关系,丝阵参数、电路参数对丝阵峰值箍缩电流、内爆时间、内爆动能影响很大;在驱动器参数不变,内爆时间不超过电路固有放电周期1/4的前提下,峰值箍缩电流、内爆时间、内爆动能随丝阵质量的增加而增大,内爆时间随丝阵初始半径的增加而增大;在丝阵参数不变时,随着驱动器等效电容的增大,内爆时间减小,丝阵内爆动能增大,但驱动器储能转化为内爆动能的效率却先增大后减小.对于特定的驱动器,优化的丝阵参数应使内爆过程充分利用驱动器固有放电周期的上升沿,使丝阵快速收缩的时间起点接近电路固有放电周期的四分之一,以获得最大的动能效率. 关键词: Z箍缩驱动器 零维内爆模型 模拟行为建模 耦合特性  相似文献   
908.
邓莉 《物理学报》2011,60(7):77801-077801
采用两束圆偏振啁啾飞秒激光脉冲,非共线相干激发三原子分子CS2液体. 在相位匹配的方向上,探测到由CS2频率为397 cm-1的振动模式产生的强度对称分布的相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)信号和相干斯托克斯拉曼散射(CSRS)信号. 当调整两束激发光的圆偏振状态时,CARS,CSRS信号的强度、偏振、波长均发生规律性的改变:CARS,CSRS信号的强度分布反映了CS2 在不同极化状态下的受激拉曼散射截面大小;信号光的 关键词: 啁啾脉冲 相干反斯托克斯拉曼散射(CARS) 相干斯托克斯拉曼散射(CSRS) 2')" href="#">CS2  相似文献   
909.
邓娅  赵国平  薄鸟 《物理学报》2011,60(3):37502-037502
本文以界面交换耦合常数Ji和软磁相厚度Ls为主要参变量,研究了易轴与膜面平行情况下的Nd2Fe14B/α-Fe磁性多层膜的磁矩随外场变化的取向及磁滞回线,并得到了成核场的解析公式.分析发现,Ji对磁矩取向、钉扎场和矫顽力机理有着较大的影响.当Ls较小时,钉扎场等于成核场,随着Ji的减小 关键词: 成核场 钉扎场 矫顽力 磁滞回线  相似文献   
910.
The thermal chemistry of allyl alcohol (CH2CHCH2OH) on a Ni(100) single-crystal surface was studied by the temperature programmed desorption (TPD) and the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The allyl alcohol adsorbs molecularly on the metal surface at 100 K. Intact molecular desorption from the surface occurs at temperatures around 180 K, but some molecules exhibit chemical reactivity on the surface: activation of the OH, CC, and CO bonds produces η1(O)-allyloxy CH2CHCH2O(a), η2(C, C) allyl alcohol (C(a)H2C(a)HCH2OH), and η3(C, C, O)-alkoxide (C(a)H2C(a)CH2 O(a)) intermediates. Further thermal activation of allyl alcohol on the surface yields propylene (CH2CHCH3), 1-propanol (CH3CH2CH2OH), propanal (CH3CH2CHO), and combustion and dehydrogenation products (H2O, H2, and CO). Propylene desorbs from the surface at temperatures of around 270 K. Hydrogenation to the η3(C, C, O)-alkoxide intermediate leads to the production of propanal which desorbs from the surface around 320 K, while hydrogenation of the η2(C, C) allyl alcohol intermediate produces 1-propanol, which desorbs at around 310 K. The co-adsorption of hydrogen atoms on the surface enhances the formation of the saturated alcohol, while co-adsorption of oxygen enhances the formation of both the saturated alcohol and the saturated aldehydes.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号