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151.
李鸣  牟善祥  张岩 《现代雷达》2004,26(11):44-46
数字波束形成算法中,CCAB算法在较高信干噪比条件下具有一定优势。但是计算时需要求逆矩阵,在阵元数较多的情形下运算量极大,很难实时实现,严重制约了其进一步的应用。提出了一种基于原有CCAB算法的多级计算方法,可以有效地减少运算量。实验表明,该方法虽然其信噪比性能比普通CCAB算法有所下降,但是仍能在干扰方向上形成较深的零陷并有效地抑制干扰,能够进一步应用于实际工程中。  相似文献   
152.
A new integrated magnetic full wave DC/DC power converter that provides flexible transformer design by incorporating an independent output inductor winding is introduced. The transformer is implemented on a traditional three-leg magnetic core. The inductor winding can be separately designed to control the output current ripple. The cross-sectional area of the inductor core leg can be reduced dramatically. The operation and performance of the proposed circuit are verified on a 100 W prototype converter.  相似文献   
153.
运动估计块匹配两级搜索算法   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据视频图像相邻块在空间上具有很大的相关性,吸收了矢量预测块匹配的核心思想,提出一种两级块匹配运动估计算法,在第一级中,首先根据矢量预测确定一个小区域,然后在此区域内进行快速搜索,如果在第一级中没有搜索到匹配块则进行第二级搜索,该算法可大大提高搜索速度.  相似文献   
154.
钕铁硼在低音扬声器磁路中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍适用于低音扬声器的两种不同充磁方向磁体联合应用磁路。讨论了联合应用磁路所用钕铁硼磁体的压制成型、磁性能检验、装配和充磁。  相似文献   
155.
阐述了ADSLMODEM远程管理的意义及应遵循的原则,并对远程管理的方案作了简要阐述,最后比较分析了不同方案的优缺点。  相似文献   
156.
We demonstrate the first programmable group-delay module based on polarization switching. With a unique binary tuning mechanism, the device can generate any differential group delay value from -45 to +45 ps with a resolution of 1.40 ps, or any true-time-delay value from 0 to 45 ps with a resolution of 0.7 ps. The delay varying speeds for both applications are under 1 ms and can be as fast as 0.1 ms. We evaluate both the dynamic and static performances of the device while paying special attention to its dynamic figures of merit for polarization-mode dispersion emulation and compensation applications. Our experiment shows that the device exhibits a negligible transient-effect induced power penalty (<0.2 dB) in a 10-Gb/s nonreturn-to-zero system.  相似文献   
157.
Recently, S.J. Lee proposed a blind feedforward symbol timing estimator that exhibits low computational complexity and requires only two samples per symbol (see IEEE Commun. Lett., vol.6, p.205-7, 2002). We analyze Lee's estimator rigorously by exploiting efficiently the cyclostationary statistics present in the received oversampled signal; its asymptotic (large sample) bias and mean-square error (MSE) are derived in closed-form expression. A new blind feedforward timing estimator that requires only two samples per symbol and presents the same computational complexity as Lee's estimator is proposed. It is shown that the proposed new estimator is asymptotically unbiased and exhibits smaller MSE than Lee's estimator. Computer simulations are presented to illustrate the performance of the proposed new estimator with respect to Lee's estimator and existing conventional estimators.  相似文献   
158.
This paper studies the characteristics and structure of the weak surface of the production possibility set. We apply techniques and methods of transferring a polyhedral cone from its intersection form to its sum form, identify an intersection representation of the production possibility set. We give the structure theorem of weak surface of the production possibility set, which includes three complementary slackness conditions. We define the input weak efficiency and output weak efficiency for different DEA models according to the representation of the intersection form. It investigates the characteristics of the weak surfaces, and proves the structure theorems of input weak DEA efficiency and output weak DEA efficiency. The structure theorems establish weighted combination of inputs and outputs that are weak DEA efficient. Numerical examples are provided for illustration.  相似文献   
159.
The centrosymmetric binuclear structure of [Pb2(H‐Norf)2(ONO2)4]shows the geometry around each lead(II) atom to be distorted trigonal bipyramidal with Pb–O distances ranging from 2.357(3) to 2.769(4) Å. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
160.
The authors report the implementation of deep-submicrometer Si MOSFETs that at room temperature have a unity-current-gain cutoff frequency (fT) of 89 GHz, for a drain-to-source bias of 1.5 V, a gate-to-source bias of 1 V, a gate oxide thickness of 40 Å, and a channel length of 0.15 μm. The fabrication procedure is mostly conventional, except for the e-beam defined gates. The speed performance is achieved through an intrinsic transit time of only 1.8 ps across the active device region  相似文献   
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