矩孔金属光栅矢量模式理论的数值计算

根据矩孔金属光栅的矢量模式理论，计算了不同入射方向，波长及偏振态情况下衍射场的分布，研究了不同光栅结构对衍射效率，偏振态变化的影响；同时，根据实际需要，加工制作了一批不同深度的矩孔光栅样品，进行了实验测量，并将计算值与实验值进行了比较，两者基本相符。     

用13CNMR研究聚甲基丙烯酸锡酯的立构序列分布

本文测定了自由基型溶液聚合的聚甲基丙烯酸三甲基锡酯(PTMTM),聚甲基丙烯酸三乙基锡酯(PTETM)和聚甲基丙烯酸三丁基锡酯(PTBTM)的¹³C-NMR谱,对其C-2谱扩展分峰,计算立构序列,从定量数据表明,聚合物样品的空间立构富于或稍富于间规立构,随取代基的体积增大而趋于无规分布,作者认为受空间位阻效应和分子内或分子间形成配位键的影响。     

Enantioseparation of Dencichine and D-Isomer on L-Cysteine Derivative Phase by Ligand-exchange Chromatography

Dencichine (β-N-oxalyl-L-α, β-diaminopropionic acid, L-ODAP), a nonprotein amino acid, is a haemostatic agent present in important Chinese medicinal herbs such as Panax notoginseng, as well as other Panax species1. It was first isolated from the seeds …     

用于频率合成器的低损耗声表面波滤波器

简述了产生声表面波滤波器插入损耗的主要机理和获得低损耗的原则；介绍了根据此原则对１００～５００ＭＨｚ５种滤波器的研制过程和结果。实验表明，采用镜像阻抗连接换能器结构可达到３～４ｄＢ的低损耗，并成功地应用于频率合成器中。     

钙矾石膨胀机理的SEM研究

本文利用扫描电镜观察了在具有不同矿物组成的系统中生成的钙矾石的形成与膨胀机理。发现能够产生膨胀的钙矾石是由局部化学反应所生成；它们在未水化的铝酸盐矿物表面原地结晶，呈放射状生长。通过溶解，沉淀生成的钙矾石不能凝结，没有膨胀性。     

多功能旋流燃烧器的工业性试验研究

秦皇岛热电厂2＃锅炉燃烧不稳定、燃烧效率低等问题主要是由于燃烧器的一次风管道结构不合理造成的。本文采用多功能旋流燃烧器的设计思想对旋流燃烧器进行了技术改造和工业性试验研究。结果表明,改造后的旋流燃烧器其着火点提前,并且仅改造6只主力燃烧器就可以使锅炉在50％负荷时达到不投油而稳定燃烧,排烟温度、飞灰含碳量和NOx排放量明显下降。     

室温脉冲螺旋Wiggler磁体和大电流脉冲电源的研究

本文研究了适用于自由电子激光的室温脉冲螺旋Ｗｉｇｇｌｅｒ磁体，对其设计构思、磁场特性和设计参数进行了分析和计算．作者在文中还研究并设计了螺旋Ｗｉｇｇｌｅｒ磁体的大电流宽脉冲供电电源；分析了脉冲电流的时间特性对产生自由电子激光的影响程度．     

一种区间数的因子分析技术及其在证券市场中的应用

传统的因子分析技术能够有效地对高维变量空间进行降维处理,但它对于样本空间却缺乏行之有效的降维效果.为了解决这一问题,一种针对大量样本数据、新的因子分析技术———区间数因子分析技术(intervaldatafactoranalysis,IFA)被提出并得到了迅速的发展。IFA方法对传统的数据概念做了本质性的扩张,运用'数据打包'的理念,对海量原始数据在不破坏其原有内在逻辑关系的前提下,可以进行变量和样本点维度的双重降维。本文详细阐述了区间数因子分析技术的原理,并以中国股票市场为案例研究背景,结果表明IFA分析技术对大规模多维数据系统做综合简化是十分有效的。     

有限局部环Z/2\+kZ上斜对称矩阵标准形和伪辛群的阶

设R=Z/2\+kZ(k>1)是\{2\}[TX-]为非单位的有限局部环. 该文首先确定了R上斜对称矩阵标准形. 设G\+m\-p(R,H)={P∈GL\-m(R)|PHP′=H}是由矩阵H确定的伪辛群,其中H=[JB((][HL(2]0[]I\+\{(v)\}\=-I\+\{(v)\}[]0[HL)][JB))]Δ，Δ=[JB((][HL(2]\{2\}[TX-]\+\{k-1\}[]\{1\}[TX-]\=-\{1\}[TX-][]0[HL)][JB))]. 其次,计算了伪辛群G\+m\-P(R,H)的阶|G\+m\-P(R,H)|.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.