ABB变频器在双馈发电机试验台上的应用

本文介绍了风力发电系统目前存在的技术方案，重点介绍了ABB用于双馈式风力发电系统的变频产品ACS800—67的特性，并对由其构建的发电机测试平台的案例进行了实验分析。     

摄像型等厚干涉实验仪器的研究

介绍了“摄像型等厚干涉实验仪”的构造及等厚干涉实验新的测量方法。     

马科维兹资产组合选择模型的旋转算法

提出线性不等式组的一种旋转算法，并用其求解马科维兹资产组合选择模型，此算法每次迭代约需n^2次乘法和加法，其中n是模型中变量的数目，在微机上运行Delphi程序的实验结果表明，从上海和深圳股市1072支股票70期周末收盘价计算出20个最优投资组合仅需314次迭代和45s。     

New Exact Solutions to the Combined KdV and mKdV Equation

The modified mapping method is developed to obtain new exact solutions to the combined KdV and mKdV equation. The method is applicable to a large variety of nonlinear evolution equations, as long as odd- and even-order derivative terms do not coexist in the equation under consideration.     

死髓变色前牙的激光漂白治疗临床评价

本文的研究目的是探讨激光冠内漂白治疗死髓牙变色的治疗作用。材料与方法 :漂白基本操作同激光活髓牙变色的漂白操作程序。先将牙龈及口唇有效防护 ,将漂白药物放在唇舌两面并同时封入根冠内。结果 :所有牙齿的灰暗变色均有 3- 5级的色度提高。平均治疗次数为 3.4± 0 .75 ,脱色 85 %以上的占 89%。结论 :牙齿创伤和牙髓分解是冠内变色的常见原因 ,激光冠内漂白是治疗这种变色的有效手段 ,可以完全恢复患者的自信。     

Dirichlet型空间上的乘子

本文主要根据τ与μ的不同取值分三种情况刻划了Cn中单位球上Dirichlet 型空间上的点乘子空间M(Dτ,Dμ),并通过两个函数的构造表明:当τ≤n时,包含 关系M(Dτ)(?)Dτ和当τ>μ,τ>n-1时,包含关系M(Dτ)(?) M(Dμ)是严格的.     

通讯网的演进

在光纤高速传输技术、光交换与智能光网等与宽带接入、多媒体、3G等网络应用技术的推动下，建设基于IPv6协议的IP基础电信网成为可能。现在IP网正在朝着有序的、可管理的、有QoS保障的、可以支持各类业务的综合业务基础网演进。电信网也正在从网络接入层上、从长途网络层面上、从本地网络层面上、从固定网向含3G在内的移动网络等方面向支持IP技术及其综合业务的方面全面推进。     

一类拟线性大系统的稳定性

本文应用大系统的分解方法和一个推广的不等式,研究了一类拟线性大系统的稳定性问题,所得结果简洁、易于验证,且推导过程不复杂,最后给出了应用实例。     

微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用

物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件，这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域，离不开相应的技术手段，微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一，是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域，介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。     

Generalization of Einstein relation for doped organic semiconductors

Under the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation for electron and hole transport in doped organic semiconductor thin films are developed. Numerical calculations show that, although traditional Einstein relation still holds for low carrier concentrations, that is, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio in units of k_BT/q, with k_B the Boltzmann’s constant, T the temperature and q the elementary charge, equals 1. But when the electron (hole) concentration is high, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio for electrons (holes) changes strongly with the electron (hole) concentration, the doping level, the mean energy of LUMOs (HOMOs) of the dopant E_Ld (E_Hd) and the host E_L (E_H), as well as their variances. Dopants with E_Ld<E_L (E_Hd>E_H) affect the diffusion-coefficient-to-mobility ratio mainly in the range of low and middle carrier concentrations, while those with E_Ld>E_L (E_Hd<E_H) have significant effect only in the range of high carrier concentrations. It was found that there can be a maximum in the dependence of the diffusion-coefficient-to-mobility ratio on the quasi-Fermi energy or carrier concentration exist, for appropriate values of the doping level, the mean energy and variance of LUMO or HOMO states of the dopant. PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h