首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   60489篇
  免费   9127篇
  国内免费   6936篇
化学   32350篇
晶体学   648篇
力学   2847篇
综合类   391篇
数学   5459篇
物理学   18374篇
无线电   16483篇
  2024年   278篇
  2023年   1402篇
  2022年   1794篇
  2021年   2254篇
  2020年   2278篇
  2019年   2166篇
  2018年   1839篇
  2017年   1813篇
  2016年   2519篇
  2015年   2799篇
  2014年   3335篇
  2013年   4109篇
  2012年   4980篇
  2011年   4996篇
  2010年   3688篇
  2009年   3834篇
  2008年   4067篇
  2007年   3659篇
  2006年   3517篇
  2005年   2824篇
  2004年   2139篇
  2003年   1848篇
  2002年   1699篇
  2001年   1434篇
  2000年   1357篇
  1999年   1305篇
  1998年   1160篇
  1997年   1023篇
  1996年   1065篇
  1995年   932篇
  1994年   787篇
  1993年   628篇
  1992年   632篇
  1991年   476篇
  1990年   388篇
  1989年   309篇
  1988年   271篇
  1987年   208篇
  1986年   193篇
  1985年   185篇
  1984年   123篇
  1983年   83篇
  1982年   71篇
  1981年   43篇
  1980年   19篇
  1979年   12篇
  1977年   2篇
  1959年   2篇
  1957年   4篇
  1936年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
本文回顾了实施中波同步广播的经历,分析了目前运行中的同步网所存在的问题。笔者根据10余年参与同步广播运行管理,科研的体会,论述了实施良好同步广播的措施。就同步广播的发展:标频传送,同步激励的性及同步网的管理三个关键方面的,提出了探讨性的建议和意见。  相似文献   
82.
高巧君  彭晓芙 《电子器件》1994,17(3):127-130
本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积(CVD)法生长金刚石膜,在Si及WC-Co硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异,经适当表面处理及选择合适的工艺条件,当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜,衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Raman谱分析表明此膜仅具有特征金刚石1332cm ̄(-1)峰,通过SEM观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长,并与衬底有良好的联结。  相似文献   
83.
An analytical expression for both band-to-band and band-trap-band indirect tunnelings is used to study the gate-induced drain leakage (GIDL) current of MOSFETs measured before and after hot-carrier stress. The voltage and temperature dependence of GIDL are characterized. Both results show that interface traps situated near the midgap participate in the conduction of GIDL, and band-trap-band indirect tunneling could be the major mechanism. This is further supported by the fact that the percentage increase in GIDL induced by hot-carrier stress is about the same as the corresponding increase in interface-trap density. On the other hand, under low-field conditions, trap-assisted Poole–Frenkle emission dominates over tunneling for temperatures even well below room temperature.  相似文献   
84.
低相噪,低杂波数字锁相环路滤波器的设计   总被引:11,自引:0,他引:11  
较详细地分析数字锁相频率合成器的相位噪声,着重用控制论方法对低相噪、低杂波锁相环的环路滤波器进行设计,并用某S波段频率合成器的实验结果进行了验证。  相似文献   
85.
We present a transistor placement algorithm for the automatic layout synthesis of logic and interface cells comprised of a mixture of MOS and bipolar devices. Our algorithm is applicable to BiCMOS logic cells, ECL logic cells as well as TTL, CMOS and ECL compatible input/output (I/O) cells. The transistor placement problem is transformed into a layout floorplan design problem with a mixture of rigid and flexible modules. A constructive “branch-and-bound” algorithm is used to minimize the area of synthesized circuits subject to pre-placement constraints. Experimental results indicate that the algorithm can produce efficient placements under fixed-height constraints. The design space exploration mechanism can be controlled by the user so as to apportion computing resources judiciously  相似文献   
86.
全20CrMnTi表面激光重熔的组织与性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
许友谊  周明 《应用激光》2002,22(4):401-404
本文对激光重熔20CrMnTi材料表明改性层显微组织分布特征、表面硬度分布规律以及残余应力状态作了研究,结果表明,表面改性层由熔融层、相变硬化层及过渡层组成,且材料表面显微硬度得到大幅度提高,表面硬度达到HV841,约提高4倍。硬化层深度约1mm。残余应力测试得出最大残余应力出现在熔凝带中心,表现为压应力。随着离中心距离的增大,残余应力逐步降低,到熔化带边缘,表现为低幅值压应力;而熔池的外边缘应力在热影响区则转变为拉应力状态。  相似文献   
87.
使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.  相似文献   
88.
High dielectric constant (high-k) polymer composites are of great interest for embedded capacitor applications. Previously, we demonstrated that epoxy—aluminum composites are promising for embedded capacitor applications, because they have a high dielectric constant and a low dielectric loss due to the core—shell structure of the self-passivated aluminum particles. In this work, to further understand the dielectric behavior of aluminum composites, lower-loss polymers such as silicone, polyimide, polynorbornene, and benzocyclobutene were explored as matrices for the aluminum composites. It is found that the polymer matrices can significantly change the dielectric properties of the aluminum composites. A polymer matrix with a lower dielectric constant generally results in a lower dielectric constant of its aluminum composites. In this regard, polymer—aluminum composites have a similar dielectric characteristic as polymer—ceramic composites. Thermomechanical properties of aluminum composites were characterized by a thermomechanical analyzer.  相似文献   
89.
In this paper we propose a new protocol called time-space label switching protocol (TSL-SP) in optical burst switching (OBS), and define the terms time-space label (TSL) and time-space routing (TSR). An important concept of response time is introduced in the time label mechanism. The TSL-SP is a new technology that can quickly and efficiently forward data with a label on the optical networks. A two-dimension label switched path (TD-LSP) can be set up, that is maintained and deleted by the TSL-SP. For clearly illuminating the operation principles of the TSL-SP, we propose a new approach of orthogonal time-space coordinates in which the vertical coordinate is the space label and the horizontal coordinate is the time label. The proposed TD-LSP can dramatically reduce the routing failure probability and greatly improve the link network efficiency compared with other signaling protocols. Moreover, we define the time-space label control plane that can achieve the higher efficiency. When the TSL-SP is applied to networks, switching performance can be improved by two orders compared to the switching performance with the conventional OBS signaling protocols. The fundamental goal of TSL-SP is to band the signaling and routing functions together closely. Also, the TSL-SP can reduce the complexity of the network, support automatic service offering, and provide traffic engineering.  相似文献   
90.
本详细描述了移动IP的工作过程,并介绍了移动IP的隧道技术和IPSec,最后对移动IP技术中存在几个热点问题进行了讨论。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号