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991.
This paper presents linear pulse response of a Resonant Cavity Enhanced (RCE) P-i-N fotodiode. The RCE P-i-N photodiode designed for high-speed aplication is analysed for various submicron thicknesses of absorption layer, bias voltages, active areas and incident pulse optical excitations. The results are obtained by numerical simulation of the complete phenomenological model for two valley semiconductor. Great enhancement of the quantum efficiency and the product bandwidth-quantum efficiency, is obvious from obtained results for this photodiode type.  相似文献   
992.
用电沉积方法得到了不同浓度硫酸锌电解液的分形凝聚图像;进行图像处理,得到了其分形维数与浓度的关系曲线;用粒子扩散限制凝聚模型解释了此关系  相似文献   
993.
利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Pb1- x Cox Se 薄膜.研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系.结果表明:由于 Co 离子介入, Pb1- x Cox Se 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变.磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关  相似文献   
994.
How to manage the experience in IT R&D department is vital for the IT company. The primary purpose of this paper is to probe into the natural character of the experience in IT R&D department, and put forward the strategy of how to manage it. The research on the strategies is applied in a mobile phone game software company to further validate its efficiency. The results indicate using the strategies of "a learning history" and "dynamic knowledge map" can improve the performance level and more attentions should focus on the relationship between people and how to communicate.  相似文献   
995.
本文介绍了直视芯式单模光纤熔接机采用柔性铰链式微动机构的原理及构成,其调整精度可达到±0.1μm,使单模光纤熔接机的连接损耗大大降低。另外,还对其性能及指标与日本产品进行了比较。  相似文献   
996.
王亚鸣 《电讯技术》1992,32(3):38-45
本文介绍了一种由正交E面折叠魔T与鳍线混合集成的Ka波段单平衡混频器的研制概况,混频器使用国产W121封装的带状引线混频二极管。介质基片采用国产的仿RT-Duroid5880,经测试该混频器的最小单边带噪声为5.7dB(不包括前中噪声),射频与本振的隔离度均优于20dB,整体尺寸为32×19×14(mm)。  相似文献   
997.
梯度折射率激光准直器的原理与设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究用单块抛理型梯度折射率棒透镜作激光准直器的原理、特性和设计。  相似文献   
998.
宣丽  罗晞 《发光学报》1988,9(1):40-45
通过包铜过程的分析,了解到包铜反应主要是表面化学吸附反应,ZnS颗粒表面状况对生成的CuxS性质影响很大,据此设计了淬火包铜工艺,并得到形成功率较低,抗老化性能好的DCEL粉.本文初步分析了淬火生成的CuxS相,认为它的初态处于一种高度无序状击,经一段时间可自然发生某种相变.新相比较稳定,从而可能抑制由Cu+迁移造成的老化.  相似文献   
999.
刘俊刚 《半导体光电》1993,14(3):288-292,300
叙述了256×256元PtSi肖特基势垒红外焦平面的工作原理和设计考虑。器件采用四相ITCCD结构。像元尺寸和填充系数分别为60×50(μm~2)和35%。采用薄金属膜和光腔结构改善了器件的灵敏度。势垒高度为0.22ev,相应的截止波长为5.6μm。在室温目标下,用该器件摄得了较好的红外图像。  相似文献   
1000.
本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。  相似文献   
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