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231.
232.
丝瓜种子萌芽及子叶生长过程中谷氨酰胺合成酶同工酶的变化 总被引:2,自引:1,他引:1
测定了丝瓜种子萌芽及子叶不同生长阶段的谷氨酰胺合成酶(GS)的活性及其同工酶的变化.除了发育上的变化外,光和外源氮对GS活性及其同工酶影响也是显著的.无论外源氮(N)是否存在,GS活性在种子萌芽和子叶生长初期是逐渐升高的,于第6天达到最大,其后活性逐步降低.在光照下,外源氮对GS1诱导作用大于GS2;在无氮下,光对GS2的刺激大于GS1;在暗处,外源氮对GS1和GS2两者都有诱导作用. 相似文献
233.
从患罗氏沼虾幼苗肌肉白浊病的幼虾体内分离到两种病毒颗粒,诺达病毒(MrNV)和直径只有15nm的小病毒颗粒(extrasmallvirus,XSV),本文通过建立病毒cDNA文库获得XSV基因组的部分序列,在此基础上合成探针,用从病虾组织中提取的总PNA进行Northern杂交,结果表明XSV基因组至少包括两条RNA片段.利用不同的方法对XSV的两端序列进行克隆和测定,分别得到了872、831和662bp3个相互重叠的序列片段,这3个序列的阅读框编码一个相同的大小在17×103左右的蛋白. 相似文献
234.
光电变色器件用纳米晶氧化钛薄膜的微结构与特性 总被引:2,自引:2,他引:0
纳米晶TiO2薄膜在光电变色器件中具有很重要的作用。它的微结构直接影响染料的吸附、光的散射以及电荷输运的特性。因此,探索TiO2薄膜的微结构(如粒径、表面形貌和厚度等)及光电性能是非常有意义的。采用电子束蒸发工艺制备了光电变色器件用纳晶TiO2薄膜,利用原子力显微镜、X射线衍射、俄歇电子能谱等手段对纳米晶TiO2薄膜的表面形貌、结晶状态及组分进行了分析。从理论上研究和讨论了纳米晶TiO2薄膜晶粒尺寸对光电性能的影响,并用量子限制效应解释了吸收光谱峰值波长随粒径减小而发生蓝移的现象。 相似文献
235.
消色差谱相位延迟器的光谱特性测试研究 总被引:6,自引:1,他引:5
本文应用归一化偏振调制原理建立的测试系统,对常规菲涅耳菱体,改进型菲涅菱体,斜入射型以及直角棱镜组合型的消色差相位延迟的光谱特性进行了测试研究,得到了各延迟器的消色差特性曲线,并对测试结果进行了分析。结果表明改进型菲涅耳菱体以及直色棱镜组合型型消色差相位延迟器,是目前较理想的实用型消色相位延迟器。 相似文献
236.
Hong Mao-Chun Huang Zhi-Ying Cao Rong Jiang Fei-Long Liu Han-Qin State Kev Laboratory of Structural Chemistry and Fujian Institute of Research on the Structure of Matter Chinese Academy of Sciences Fuzhou Fujian 《结构化学》1993,(5)
<正> [Au13Ag12(μ-Br)1(μ3-Br)2 (Ph3P)10Br2] Br, monoclinic. space group C2/m, a = 36. 496(17). b=16. 878(7), c-=19. 772(9) A , β=99. 87(5)°, V=11998. 9 A3.Z=2. The final R(Rw) is 0. 097(0. 109) for 3779 reflections with I>3σ(I). The structure can he considered as two icosahedral cluster units (AurAg6) sharing one vertex and linked hy six bromine atoms. The Au - Au, Au - Ag. and Ag-Ag distances fall in the ranges of 2. 69-2. 96. 2. 84-3. 02. and 2. 92-3. 26 A, respectively. 相似文献
237.
软x射线近贴显微技术 总被引:1,自引:0,他引:1
软x射线近贴显微技术不但可使活的生物样品成象,分辨率高于光学显微镜,而且人为的样品准备程序在该技术中都可避免。本文描述了用高功率激光打靶产生的等离子体作为软x射线源而进行的近贴显微研究,并得到了分辨率好于1μm的结果。 相似文献
238.
本文根据实地考察内容,结合宽带网络技术和业务重点及实施策略,全面介绍了日本关西宽带实验网发展背景,通信与广播电视综合应用实验和B-ISDN实用化实验的进展以及NTT所起作用。文章最后就关西宽带实验网的借鉴意义提出了几方面意见。 相似文献
239.
介绍了两种制备多孔硅的方法:电火花刻蚀法和激光辐射腐蚀法。讨论了这两种新方法制备的多孔硅样品的结构和发光特性,同时,与电化学法制备的多孔硅的结构和发光特性进行了比较。最后指出这两种新方法对于多孔硅形成机理和发光机制研究是有所帮助的。 相似文献
240.
从等离子体动力学方程出发,采用玻尔兹曼碰撞项,在粒子分布函数偏离麦克斯韦分布甚小的情况下,作三级矩近似得到了等离子体迁移方程组。迁移方程组中忽略时间微分项后,得出了电子-离子等离子体的张量形式迁移系数,以及与磁场方向成平行(∥)、垂直(⊥)和交叉方向的迁移系数。导出的结果和文献[1]采用朗道碰撞项得出的结果进行了比较。结果表明,迁移系数和等离子体参数的依赖关系是一致的,但对磁场B和离子电荷Z_i值取定时,个别迁移系数要差一倍。此外,导出的迁移系数形式比文献[1]的要简单些。 相似文献