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191.
192.
十二烷基苯磺酸钠增敏乙基紫共振光散射法测定人尿中痕量1-羟基芘 总被引:1,自引:0,他引:1
基于乙基紫(EV)与1-羟基芘(1-OHP)反应形成离子缔合物,导致体系的共振光散射(RLS)增强,建立了测定1-OHP的共振光散射法.在pH 8.0Tris-HCl缓冲介质中,最大RLS峰位于396 nm,其强度与1-OHP浓度成线性关系.加入表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS),体系的灵敏度可提高两倍以上.方法的线性范围为4.0~982 μg·L-1,相关系数r=0.999 4,检出限1.2 μg·L-1,相对标准偏差为5.8%~7.9%,平均回收率为94%(n=6).已成功用于人尿中痕量1-OHP的测定,结果满意. 相似文献
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194.
NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能. 相似文献
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196.
197.
198.
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200.
对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。 相似文献