Electroluminescence of a Multi-Layered Organic Light-Emitting Diode Utilizing Trans-4-[p-[N-methyl-N-(hydroxymethyl)amino]styryl]-N-Methylphridinium Tetraphenylborate as the Active Layer

Employing an organic dye salt of trans-4-[p-[N-methyl-N-(hydroxymethyl)amino]styryl]-N-methylphridinium tetra\-phenylborate (ASPT) as the active layer, 8-hydrocyquinoline aluminium (Alq₃) as the electron transporting layer and N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)-[1,1’-biphenyl]-4,4’-diamine (TPD) as the hole transporting layer, respectively, we fabricate a multi-layered organic light-emitting diode and observe the colour tunable electroluminescence (EL). The dependence of the EL spectra on the applied voltage is investigated in detail, and the recombination mechanism is discussed by considering the variation of the hole-electron recombination region.     

解可分离约束双凹规划问题的一种外逼近方法[英文]

在本文中，我们提出了双凹规划问题和更一般的广义凹规划问题。我们给出了双凹规划问题的整体最优性条件，并构造了一个有限终止外逼近算法。     

多功能旋流燃烧器的工业性试验研究

秦皇岛热电厂2＃锅炉燃烧不稳定、燃烧效率低等问题主要是由于燃烧器的一次风管道结构不合理造成的。本文采用多功能旋流燃烧器的设计思想对旋流燃烧器进行了技术改造和工业性试验研究。结果表明,改造后的旋流燃烧器其着火点提前,并且仅改造6只主力燃烧器就可以使锅炉在50％负荷时达到不投油而稳定燃烧,排烟温度、飞灰含碳量和NOx排放量明显下降。     

一种基于神经网络的模糊推理方法

对于Zadeh的模糊关系合成法则（简称CRI方法），选择一个适宜蕴涵关系矩阵是至关重要的。通常蕴涵关系矩阵的元素值是通过一个所构造的数学表达式计算的，或是由领域专家凭经验直接给出。然而，有时，特别是对于后一种情形，CRI法不能满足模糊推理最基本的一致性要求。文章构造了一个神经网络用于模糊推理，新方法不仅是CRI方法的推广，而且远比CRI方法易于满足推理的一致性要求。得益于神经网络的长处，新方法具有灵活性、可调性。文章给出了权值的具取值法。     

基于EPP协议的便携机数据采集系统

设计了基于EPP协议的便携机数据采集系统 ,给出了技术解决方案。方案具有软硬件设计简捷、无需插卡等优点 ,可使外设工作于PC并行口的多种模式下。解决了线阵CCD图像采集系统与笔记本电脑之间的数据通讯 ,达到了便携数据采集的目的。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

分形维数与城市规模分布评析

本在分形概念的基础上，指出城市规模分布是基于统计意义上的一种分形分布，并计算了安徽省1978～1998年城市规模分布的分维值，评析了安徽省城市规模分布变化的特征。     

关于概率测度收敛的注记(英文)

本文给出并证明了概率测度收敛中不为人俗知的一个结果 .     

一种检验定性指标的有效方法

介绍了一种检验定性指标的有效方法,可用于确定产品的合格率和评价检验人员的检验水平。用该方法分析了某厂产品的一项实际指标,合格率为91 4%,还对该厂10名检验员的检验水平作了客观的评价。     

SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。