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81.
介绍了将EWB用于“模拟电子技术”的课堂教学时,虚拟实验测量结果与理论计算值不一致时,如何去分析并解决问题。  相似文献   
82.
桑蚕种良卵率是蚕种质量检验的重要指标,控制样本间良卵数偏差是保证良卵率准确性的关键.运用概率理论,针对目前生产上绝大多数批次的良卵率p 99%情况,在置信概率为95%下,样本卵粒数在1601~1700、1701~1800、1801~1900、1901~2000区间内时,给出了样本良卵数的容许偏差分别为16、17、17、18粒;当良卵率p在99%~90%其他区间时,也分别给出了不同克卵粒数情况下样本良卵数的容许偏差.同时在置信概率为90%下,给出了不同克卵粒数情况下样本良卵数的容许偏差.结合实际调查结果,对理论方法进行了比较,确认了理论方法的准确性,为蚕业生产提供了一套控制良卵数偏差的可行性方案.  相似文献   
83.
双环网络是计算机互连网络和通讯系统的一类重要拓扑结构.1993年,李乔等人提出一个系统的构造方法,构造出69类0紧优和33类1紧优双环网络的无限族,并提出研究下述问题:求k(k>1)紧优双环网络的无限族.2003年,徐俊明等人给出一个4紧优双环网络的无限族.本文首先证明从每一个具体的0紧优双环网络出发,都可以构造若干0紧优双环网络无限族;结合同余方程组理论和数论中的素数理论,给出若干求一般k(k≥0)紧优双环网络无限族(包括非单位步长双环网络无限族)的方法.  相似文献   
84.
Employing an organic dye salt of trans-4-[p-[N-methyl-N-(hydroxymethyl)amino]styryl]-N-methylphridinium tetra\-phenylborate (ASPT) as the active layer, 8-hydrocyquinoline aluminium (Alq3) as the electron transporting layer and N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)-[1,1’-biphenyl]-4,4’-diamine (TPD) as the hole transporting layer, respectively, we fabricate a multi-layered organic light-emitting diode and observe the colour tunable electroluminescence (EL). The dependence of the EL spectra on the applied voltage is investigated in detail, and the recombination mechanism is discussed by considering the variation of the hole-electron recombination region.  相似文献   
85.
在本文中,我们提出了双凹规划问题和更一般的广义凹规划问题。我们给出了双凹规划问题的整体最优性条件,并构造了一个有限终止外逼近算法。  相似文献   
86.
多功能旋流燃烧器的工业性试验研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
秦皇岛热电厂2#锅炉燃烧不稳定、燃烧效率低等问题主要是由于燃烧器的一次风管道结构不合理造成的。本文采用多功能旋流燃烧器的设计思想对旋流燃烧器进行了技术改造和工业性试验研究。结果表明,改造后的旋流燃烧器其着火点提前,并且仅改造6只主力燃烧器就可以使锅炉在50%负荷时达到不投油而稳定燃烧,排烟温度、飞灰含碳量和NOx排放量明显下降。  相似文献   
87.
基于EPP协议的便携机数据采集系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
韩松  芦汉生  徐宁 《光学技术》2002,28(3):273-274
设计了基于EPP协议的便携机数据采集系统 ,给出了技术解决方案。方案具有软硬件设计简捷、无需插卡等优点 ,可使外设工作于PC并行口的多种模式下。解决了线阵CCD图像采集系统与笔记本电脑之间的数据通讯 ,达到了便携数据采集的目的。  相似文献   
88.
分形维数与城市规模分布评析   总被引:3,自引:1,他引:2  
本在分形概念的基础上,指出城市规模分布是基于统计意义上的一种分形分布,并计算了安徽省1978~1998年城市规模分布的分维值,评析了安徽省城市规模分布变化的特征。  相似文献   
89.
介绍了一种检验定性指标的有效方法,可用于确定产品的合格率和评价检验人员的检验水平。用该方法分析了某厂产品的一项实际指标,合格率为91 4%,还对该厂10名检验员的检验水平作了客观的评价。  相似文献   
90.
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。  相似文献   
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