低强度超声对鼻咽癌CNE2细胞增值和凋亡的影响

目的：观察低强度超声对人鼻咽癌CNF2细胞增殖和凋亡的影响。方法：以低强度超声（频率1．7MHz,剂量1．35W／cm2）辐照CNF2细胞,采用MTT观察超声对COCl细胞增殖的抑制作用;光镜观察细胞形态,细胞核荧光染色法检测凋亡细胞。结果：超声波能够显著抑制鼻咽癌CNE2细胞增殖,辐照后孵育18h,其MTT光吸收值与对照组相比监著降低：光镜下可见细胞形态学改变,同时Hoechst 33258荧光染色法观察到亮蓝色着染的凋亡细胞。结论：低强度超声辐照对人鼻咽癌CNE2细胞体外生长具有明显的抑制作用,并可诱导其凋亡。     

光纤激光传感技术及其应用

超高灵敏度的信号探测在石油勘探、地震预报和安全监测等领域都具有重要的应用价值.近年来出现了一种以分布反馈(DFB)光纤激光器为传感元件的新一代光纤传感器,它具有尺寸小、输出激光信号极窄的光谱线宽和极低的噪声等优势,与高分辨率波长解调技术结合可以达到极高的探测灵敏度.介绍了在光纤激光传感技术及其应用技术方面的研究进展,包括线宽仅为3 kHz、尺寸仅为3.6 cm的窄线宽低噪声DFB光纤激光器的研制及其测试,波长分辨率达3.5×10~(-7) pm/Hz~(1/2)的超高分辨率波长解调系统,基于密集波分复用的光纤激光传感网络,以及相关技术在水声和地震波探测中的应用研究.     

人体静电放电对有机发光二极管的影响

研究了静电放电（ESD）人体模式（HBM）下的脉冲应力对有机发光二极管（OLED）的性能及寿命的影响,并讨论了相应的物理机制。对比分析了4组OLED在施加ESD放电为0,200,800,1 600 V前后的电学和光学特性,并进行了相应的寿命测试分析。研究发现,OLED器件的光谱对ESD不敏感,随着冲击电压的增大,由于静电打击对载流子的短期抑制效应,OLED的亮度出现轻微下降。在静电冲击电压为200 V和800 V时,伏安特性没有发生变化;当静电冲击电压增至1 600 V时,反向漏电有明显增加。后续的加速寿命实验表明,静电打击对器件的工作寿命没有明显的规律性影响,但是会一定程度提高非本质老化失效的概率。     

太赫兹传输波导器件研究进展

随着太赫兹技术的发展,太赫兹传输波导器件的研究成为待解决的重要问题之一。太赫兹波位于微波与红外光之间,寻找高效的传输、耦合器件一直是研究人员的目标。主要介绍了太赫兹传输波导研究现状,并总结了各类型太赫兹波导的优势与不足。根据材料与结构分别对金属波导、介质波导的研究进展进行了分析。其中金属波导包括裸金属线波导、微结构波导、空芯波导以及平板波导,介质波导包括介质空芯波导、多孔芯波导以及微结构波导。最后分别对太赫兹传输波导未来需要解决的研究方向进行了展望。     

认知无线信道及其可达速率域的研究

认知无线信道是基于认知无线电理论的一种新的无线通信网络模型。到目前为止,已经有一些针对认知无线信道的可达速率域和速率域外界的结果给出,但是还不能得到认知信道的确切的容量域。文中主要研究了认知无线信道模型,以及实现其可达容量域所用到的编码方法,并给出了一些速率域的结果。     

寄生虚反射对外差干涉椭偏测量的影响

研究了一种采用横向塞曼激光器并且没有任何运动部件的外差干涉椭偏测量系统。由非理想的激光源、偏振分光镜等器件所产生的非线性误差,是影响纳米测量精度的主要因素。采用琼斯矢量法,分析并建立了光学系统寄生虚反射所引入的误差模型,讨论了虚反射对误差漂移的影响。在不考虑其它误差因素的前提下,同一光路内部产生的同频率虚反射波对测量结果没有影响;而不同频率的参考光束与测量光束之间的交叉虚反射所产生的膜厚测量误差为亚纳米量级。讨论了消除和抑制虚反射误差的方法。     

自适应间断有限元方法求解双曲守恒律方程

研究自适应Runge-Kutta间断Galerkin (RKDG)方法求解双曲守恒律方程组,并提出两种生成相容三角形网格的自适应算法.第一种算法适用于规则网格,实现简单、计算速度快.第二种算法基于非结构网格,设计一类基于间断界面的自适应网格加密策略,方法灵活高效.两种方法都具有令人满意的计算效果,而且降低了RKDG的计算量.     

激光激发水中产生超声波的实验研究

采用压电陶瓷水听器研究了Nd：YAG脉冲激光激发水中产生瞬态超声波的特性,给出了声压信号随距离的变化关系。研究结果表明：用激光产生水下声波是完全可行的。当观测点与光击穿区的距离r远大于柱体长度时,垂直于光传播方向的激光瞬态超声波幅值与r成反比;当观测点与光击穿区的距离r很小时,垂直于光传播方向的声压幅值与产成反比。此外,当激光入射角度发生变化,超声脉冲的幅值也随之发生变化,其幅值在激光束垂直入射的时候最大。     

自顶向下制备硅纳米线环栅MOSFET新工艺

准弹道输运特征的环栅纳米线MOSFET由于具备很强的栅控能力和抑制短沟道效应的能力,被认为是未来22nm技术节点以下半导体发展路线最有希望的候选者之一。采用传统CMOS工艺在SOI和体硅衬底上制备环栅纳米线MOSFET,解决了许多关键的技术难点,获得了许多突破性进展。文章综述了目前各种新颖的自顶向下制备方法和各种工艺的优缺点,以及优化的方向。     

互相关分析中有偏估计与无偏估计的比较

本文通过理论分析和Matlab仿真得出.周期信号需采用有偏估计,且要求延迟时间小于信号周期;非周期信号中,对于局部峰值点和周期变化较小的一类准周期信号,有偏估计要求延迟时间小于信号近似周期,无偏估计对延迟时间的大小没有要求,但抗干扰能力较差.对于冲击信号,有偏估计和无偏估计均能满足要求,且对延迟时间的大小没有限制.