串行接口LED数码管及键盘管理器件ZLG7289A的原理与应用

介绍了LED数码管及键盘管理器ZLG7289A的原理与应用。该芯片具有SPI串行接口，可同时驱动8位共阴式数码管(或64只独立LED)，还可连接多达64键的键盘矩阵，单块芯片即可完成LED显示、键盘接口等全部功能。文章给出了ZLG7289A的特点、引脚功能、指令说明和经典电路．并以单片机AT89C51为例，给出了其接口电路及相应源程序。     

Bio-regeneration of p-complexation desulfurization adsorbents

More and more stringent regulations of gasoline and diesel oil were proposed with the awareness of environmental protection. Hydrodesulfurization (HDS) is a conventional method to remove sulfur compounds for industrial purpose. The main drawbacks of this …     

槲寄生蛋白注射液细胞毒活性测定的MTT方法探讨

采用MTT比色法对体外培养的肿瘤细胞进行细胞毒作用实验，验证槲寄生蛋白注射液体外抗肿瘤效果．并且鉴定这种检测方法的有效性。实验结果表明槲寄生蛋白注射液有一定的体外抗肿瘤效果；MTT比色法是一种可用的体外细胞毒作用检测法，为新药品的开发提供了实验依据。     

截面体与凸体的包含测度

本文建立了E^n中的凸体与其位似体的包含测度的相等关系，同时给出了凸体Minkowski和的包含测度的估计。最后证明了E^3中的关于原点对称的旋转椭球与其截面体相似的充要条件是K为以原点为心的球。     

q←q~(-1)对称的非广延熵描述下的正则玻色子系综

将Abe引入的q q-1对称变形熵应用于玻色子的正则系综,根据最大熵原理和Lagrange乘子法,导出了系统的密度算子,进而在微变形的条件下求出了粒子数算符的期望值及其在高温、低温下的近似值。     

HIN2xxE系列RS-232收发器的原理及应用

HIN2xxE系列是由＋5V单电源供电的高速RS-232收发电路，符合EIARS-232C和V．28规范，以电源功耗低为显著特点，广泛应用于ISDN和高速调制解调器，尤其是电池供电系统中。文中主要介绍HIN2xxE系列电路的原理、特性和典型应用。     

VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜，研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明：气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响；材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀，在将材料应用于器件上时，必须要考虑优化合适的工艺条件；硅烷浓度大，相应制备薄膜的晶化程度减弱，即薄膜中非晶成分增多。     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.     

WS2 超细粉体的固相法合成

WS2 超细粉体的固相法合成;WS2;固相反应;过硫系数;高能球磨;粒度