云电视技术领域所涉及国际专利分类(IPC)位置的研究

【】随着个人电脑、互联网的发展,云电视技术已经得到了广泛的应用。涉及云电视技术的发明专利申请量从2011年开始迅速增加。本文基于有关云电视技术的专利文献,从国际专利分类IPC入手,介绍了云电视技术领域相关的分类号分布情况,从而为相关人士提供从分类号入手检索自己感兴趣的云电视技术相关专利文献的方法参考。     

取代二噁二唑硫醚及砜衍生物合成及抗菌活性

取代二噁二唑硫醚及砜衍生物合成及抗菌活性     

磁阻传感器的多相滤波模型

提出了一种新颖的倾斜多相滤波(SMPF)磁阻器件设计模型,采用这种SMPF模型设计的磁阻传感器,可以滤去n(n=2,3,4…[V])次谐波;倾斜相角Δθ=2π/3时,波形畸变最小;具有正弦输出的编码器被研制,实验发现当倾角φ=5°[p=0.8mm,l=3mm,Δθ=2π/3]时输出为正弦波,与SMPF理论值φ=4.904°相吻合,这一结果可以广泛于磁阻传感器领域。     

亲水/反相二维色谱法制备桔梗中的三萜皂苷

建立了亲水/反相二维色谱用于制备桔梗中三萜皂苷单体的方法。桔梗经水煮醇沉、反相和亲水两种模式的固相萃取后得到三萜皂苷类组分。选定XAmide色谱柱（150 mm×20 mm,5 μm）,以乙腈和水为流动相,在亲水色谱模式下进行组分制备。选择时间触发模式,以1 min为单位进行馏分收集,得到6~25 min之间的20个三萜皂苷精细组分。以第18个馏分（JG23）为例,在反相色谱模式下采用Atlantis Prep T3色谱柱（100 mm×30 mm,5 μm）制备,得到两个单体化合物。通过质谱和核磁共振对其进行定性,确定分别为deapi-platycoside E和platycoside E。实验结果表明,该制备方法具有好的正交选择性,对于复杂样品中三萜皂苷类化合物的分离纯化有一定的借鉴意义。     

降秩的空时联合抗干扰技术分析

针对GPS接收机容易受到干扰的缺陷,采用空时联合进行自适应抗干扰方案,利用多级降秩维纳滤波计算权值的方法,大大减小了计算量,同时具有很快的收敛性能,能够保证复杂多变环境的抗干扰能力.通过仿真验证了算法的有效性,分析了干扰数目的改变和时域抽头数目的选择对算法性能的影响,以及在采用多级降秩维纳滤波算法时如何选择分解阶数和送入数据的长度,得出的结论对工程应用具有一定的指导意义.     

“模拟电子技术实验”教学的探索与实践

“模拟电子技术实验”是工科电类专业一门重要的专业基础课.本文根据该课程教学的目标和要求,从教学体系、实验教学、教师梯队与管理体系各方面入手进行探讨,提出了一些“模拟电子技术实验”改革的思路与方法,这些措施的有效实施将显著提高实验的教学效果.     

电子束曝光机激光工件台系统研制

介绍了nm级电子束曝光机激光定位精密工件台系统的结构组成、各部分技术措施及总体性能指标。该工件台采用HP5527激光干涉测量系统,测量分辨率达0.6nm,结构上成功将导向与承载分离,对承片台、机械手等进行重大创新。无论是整机性能还是关键技术单元均处于国内领先水平,是一台性能优良、高精度的电子束曝光机工件台。     

漫射光自相关测组织微循环血流模型

提出了一种用漫射光自相关方法无损测量组织微循环血流速度的模型 ,理论分析了散射粒子的布朗运动和微循环血流对漫射光自相关函数的影响。理论计算和蒙特卡罗 (MonteCarlo)法模拟结果表明 ,随着微循环血流均方速率的增大 ,特征相关时间呈负指数规律减小     

可用于多种生物分析的高性能芯片毛细管电泳系统

本文采用激光诱导荧光的检测方法,搭建出高灵敏度的双通道共聚焦芯片毛细管电泳的检测系统。采用湿法刻蚀玻璃的方法获得了芯片管道的模具,并采用浇铸法在聚二甲基硅氧烷上获得高质量的微管道。将聚二甲基硅氧烷和石英玻璃贴合成为毛细管电泳芯片,该电泳芯片散热性能良好,可重复使用。以Cy5荧光素为样品,经实验证明该系统的检出限为17 pmol/L,并能在高达1 200 V/cm的场强下正常运行(高压电源的最高输出电压为1 200 V/cm),最高理论塔板数超过106N/m,表明该系统具有较高电泳效率。将该系统应用于氨基酸和DNA片段的分离分析,以及生物素标记的DNA与链霉亲合素的相互作用的检测,获得了较好的实验结果,说明该系统能够有效地应用于多种生物分析中。     

(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-SrTiO_3无铅压电陶瓷的介电、压电性能

研究了 (Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr2 的引入对 NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度 TF A(180°C)以及居里温度 TC(30 0°C)的影响都不大 ,但却较大幅度地降低了 NBT材料的高矫顽场 ,从而使极化相对容易。(Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系的压电性能参数 d33和 kt分别达到 10 0 p C/N和 0 .45