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Gogl D. Arndt C. Barwin J.C. Bette A. DeBrosse J. Gow E. Hoenigschmid H. Lammers S. Lamorey M. Yu Lu Maffitt T. Maloney K. Obermaier W. Sturm A. Viehmann H. Willmott D. Wood M. Gallagher W.J. Mueller G. Sitaram A.R. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2005,40(4):902-908
A 16-Mb magnetic random access memory (MRAM) is demonstrated in 0.18-/spl mu/m three-Cu-level CMOS with a three-level MRAM process adder. The chip, the highest density MRAM reported to date, utilizes a 1.42/spl mu/m/sup 2/ 1-transistor 1-magnetic tunnel junction (1T1MTJ) cell, measures 79 mm/sup 2/ and features a /spl times/16 asynchronous SRAM-like interface. The paper describes the cell, architecture, and circuit techniques unique to multi-Mb MRAM design, including a novel bootstrapped write driver circuit. Hardware results are presented. 相似文献
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X. S. Wu Xuehai Wu Yunping Li Zhangde Lu Liangen Gong Ping Zhou Qing Zhang 《Fiber and Integrated Optics》1993,12(1):97-103
Miniature, etching ridge InGaAsP/InP Phase Modulator with highly efficient phase shifting efficiency of 60°/V.mm and 43°/V.mm for TE and TM modes, respectively, and 3 dB bandwidth of 650 MHz at 1.52 μm are reported. It is well suited for integrated opto-electronics. Some functions depending on bandwidth of the devices are discussed. 相似文献
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采用自行研制的LB自动提膜装置,制备出大面积(10×8cm2)、高质量的PMMA超薄抗蚀剂膜,并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光,湿法蚀刻,制作了分辨率优于0.5μm,特征线宽0.38μm的4(100mm)铬掩模版。 相似文献
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本文报道了试用于红外地平仪的新型热堆传感器。由于尺寸小、集成热偶对数高,故设计成双列硅集成结构,集成B-Sb热偶对为112对。采用集成电路工艺和微细加工技术研制,使器件获得较好的稳定性和可靠性。测得器件性能为:电阻10±1kΩ,响应率0.9~1.2V/W,时间常数<100ms.探测率D~*≈1×10~8cmHz~(1/2)/W。 相似文献
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