纳米β-Ni(OH)2与球型Ni(OH)2的热性能比较研究

用配位沉淀法合成出纳米级Ni（OH）2，并对其进行XRD，TEM，DSC分析，分析结果表明，所得纳米β-Ni（OH）2为可用作电极材料的β-Ni（OH）2，粒径为30－40nm，且热分解温度比普通球镍低10℃左右，摩尔分解热比普通球镍低4－7kJ，从理论上分析了产生此现象的原因。     

系综分布和它的小涨落近似

由“从正则分布出发，在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同，但分别由二求得的高次矩并不完全相同。     

MTL代数的特征定理

对于逻辑系统代数结构的研究,是一个十分重要的研究课题.近期提出的BL代数,R_0代数,MTL代数就是这个方向具有代表性的研究成果.本文讨论MTL代数的性质与结构,给出这种代数的几个特征定理,澄清这种代数与其它代数结构的关系.鉴于单位区间中由左连续t-范数诱导的剩余蕴涵与MTL代数的紧密联系,本文还考察了这种模糊蕴涵的特征性质.     

Existence of solutions for the time-dependent thermistor equations

The equations describing the behaviour of temperature/flow microsensorsemploy-ing polysilicon thermistors form a degenerate nonlinearparabolic system. One special feature is that different equationsof this system are to be satisfied on different domains. Bymeans of supersolutions and subsolutions, the maximum principle,and fixed point arguments, the authors show the existence ofsolutions to the equations.     

巴旦杏中脂肪酸的测定

采用气相色谱仪进行定量分析，气－联质联用仪进行定性分析，巴旦杏中脂肪酸进行了测定，并探讨了样品处理方法和气－质联用仪的分析条件，得到了较为满意的分析结果。     

衍射辐射及其在电子束诊断中的应用

衍射辐射是由于运动的带电粒子遇到随空间变化的电介质而由感应电流产生的一种辐射. 衍射辐射由于其非阻拦性, 多参数性, 可在线性, 非常适合下一代对撞机和第四代光源的电子束诊断. 简要介绍了其物理机制, 系统的讨论了其在电子束诊断中的应用.     

碳化硅压腔和高压下的中子衍射

使用宝石级碳化硅晶体作为压砧材料，成功研制出了碳化硅压腔（MAC），并应用全景式MAC进行了高压下物质的中子衍射实验研究。结果表明，MAC是一种既能产生高的压力又具有大的高压样品室的装置，特别适合于高压下的中子衍射研究。     

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅰ.振子频率的价键力场计算

本文根据Urey-Bradely 力场的思想,用价键力场的方法对文献[1]中提出的含氢硅单晶中2210cm^-1吸收峰对应的缺陷复合体的两个模型:空位+4H,间隙硅烷,进行了振动频率的计算.在对计算结果和力常数调节合理性分析的基础上,得出了空位+4H模型比较合理的结论.此外还介绍了理论计算揭示的从实验上区分两个模型的可靠途径.     

Bistable Behaviour of N Two-Level Atoms Interacting with the Field inside a High-Q Cavity Containing a Nonlinear Kerr-Like Medium

Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.