移动信息接收机的研制

介绍了一种新型的通信传媒设备，详细介绍了该接收机的工作机理、结构、功能特点以及软硬件的设计思路。     

交互控制程序编程方法

交互控制是计算机程序的重要功能 ,也是实现人—机对话的基本途径。VisualBasic编程语言以其易学习掌握、开发灵活的特点而成为目前流行的程序开发工具 ,本文以VisualBasic语言为例介绍了交互控制程序编程方法 ,并对具体的每一种方法编写了相应的示例。     

基于VXI总线的超宽带线性调频信号源的设计

主要介绍了VXI总线C尺寸超宽带线性调频信号源的设计方法，重点描述了利用现场可编程逻辑器件FPAG和DSP设计VXI总线接口电路，以及数字波形存储直读技术在线性调频信号源中的应用。     

嵌入式数字智能涡街流量计的设计开发

针对目前涡街流重计存在精度不高的问题，采用Toeplitz自相关矩阵近似的准牛顿算法，对涡街传感器输出信号进行数字信号处理。针对客户超低功耗的要求，开发设计以超低功耗的混合信号处理器(MSP430F149)为微处理器，以采用KS0713为控制器的LCD为液晶显示模块，符合HART总线协议的嵌入式智能涡街流量计。     

双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析

由速率方程推出了双掺（Tm^3 ,Tb^3 ）离子准四能级系统的激光阈值解析式，讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明，对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光，激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时，交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入，一方面能抽空激光下能级，起到降低阈值的作用；另一方面亦减少了激光上能级的寿命，使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体，Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右，同时表明，激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。     

用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

Optic Fiber Interferometer for Absolute Distance Measurement

1.IntroductionAbsolutedistancemeasurementisfarfromanewtopic.However,itisstillafieldstimulatinggreatinterestsnowadaysduetoitSimportantroleinmanufacturingandassembly['J.SincethegreatsuccessachievedbyMichelsonandBenoitwhentheyfirstdevelopedaninterferometertodeterminethestandardmeterintermsofthemonochromaticredcadmiumline,theopticinterferometerhasbeenprovedtobeoneofthemostpreciseandefficientwayindisplacementmeasurementbecauseofitshighdiscriminationandsimplestructure.However,thetraditionalinterfe…     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。