基于P89C669微控制器的MODBUS协议转换器设计与实现

基于P89C669微控制器和计算机数据通信技术,设计了MODBUS协议转换器,实现了MODBUS网络的主控设备与RTU(远程终端单元)之间的数据转换,并在电力系统220 kV主变风冷控制中用于变电所站内自动化监控计算机系统的MODBUS网络和PLC(可编程逻辑控制器)的数据通信,使站内自动化监控系统可根据主变油温、负荷电流等运行参数对风冷机组和油泵进行实时调控。     

非均匀周期采样多率系统的一种辨识方法

本文利用提升技术,推导了非均匀采样多率系统的提升状态空间模型.对于状态可测量的多率系统,利用最小二乘原理,给出了模型参数矩阵辨识方法;对于状态不可测的未知参数多率系统,利用递阶辨识原理,在考虑提升模型的因果约束下,将提升系统分解为子系统进行辨识,形成了状态空间模型递阶辨识方法.仿真例子表明,本文提出的递阶辨识方法是有效的.     

冲击激励式压电俘能器的接口电路设计

设计了一种自供能同步非对称电压翻转及电荷提取电路(SP-SAFCE),其在压电俘能器电压正峰值完全翻转,在负峰值将能量完全提取,结合了并联同步开关电感电路和同步电荷提取电路的特点。相比于传统的压电接口电路,SP-SAFCE具有自供能的峰值检测模块和开关、无整流桥、无需阻抗匹配等优势。在拨动频率和磁铁间距离变化条件下进行对比实验,实验表明,在相同冲击激励下,SP-SAFCE电路的工作电压比同步电荷提取电路低0.8 V,输出功率约为同步电荷提取电路的1.15倍,适合作为冲击激励式压电俘能器的接口电路。     

基于小波能量距的雷达距离像特征提取

基于小波分析的方法,采用雷达目标一维距离像回波在不同频带的能量距特征,以此特征为基础,利用径向基概率神经网络对4类目标进行识别,并与传统的子带能量特征方法进行对比,仿真实验结果表明：对雷达目标距离像进行特征提取时,能量距特征更好地利用了小波分析的时频信息,所得特征向量类间类内距离比大于能量特征,目标的可分性更好,识别率得到了提高,因而能量距特征优于能量特征。     

毫米波辐射图像目标定位技术研究

针对毫米波辐射图像中目标定位的问题,提出了一种基于区域标记的毫米波辐射图像金属目标定位算法.该算法通过分析金属的毫米波辐射特性以及毫米波辐射图像的特点,利用区域标记算法对图像中金属目标进行分割,并引入基于面积的虚假目标去除准则,采用计算重心的方法实现了金属目标的定位.实验表明,该算法既能对图像中单个金属目标又能对图像中多个金属目标实现准确定位,且不论目标的外形如何,都能得到其精确的中心坐标,为下一步目标的选择与跟踪提供了依据.     

粉末活性炭与碱式氯化铝混凝处理微污染水源水的研究

用粉末活性炭吸附与碱式氯化铝混凝相结合的工艺处理微污染生活水源水,研究活性炭种类、加入量和加入先后等因素对原水嗅味、色度和有机物等去除效率的影响。结果显示,投加40mg/L200mesh活性炭以后再进行混凝,对各种污染物的去除效果较好,对原水异嗅味、色度、浊度、矿物油和苯酚的去除率分别达到71%~90%,对CODMn、TOC和氨氮的去除率分别在47%~53%、26%~27%和10%~18%范围。     

下承式梁拱组合桥梁的梁拱协作机理研究

文章将外部静定、内部高次超静定的梁拱组合桥梁分解成梁拱闭合体和吊杆两种构件,并且将吊杆力假定为膜张力,求解出了梁拱组合桥梁在均布荷载作用下拱肋分担的荷载大小及其修正系数,明确了其传力途径,定量地求出了梁拱分担的荷载比例,拱梁的拉压力偶矩大小以及梁拱截面的弯矩,并讨论了拱梁荷载比、弯矩比的影响因素及其关系,完整地揭示了下承式梁拱组合桥梁的梁拱协作机理.     

一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容 低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益 频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。     

非对称电阻场板场效应器件击穿特性仿真分析

利用TCAD仿真研究一种二维紧耦合电阻场板电流调制原理下的物理模型与最优化结构。通过优化关键工艺与材料参数,改善器件漂移区尖峰电场,最终在相同漂移区掺杂下击穿电压较一维PN结理论击穿电压提升273%,相同归一化击穿电压10%变化范围下,漂移区电荷变化允许冗余范围比现有传统PN超结拓宽15倍。相较于对称电阻场板场效应器件,在现有工艺下非对称优化电阻场板场效应器件能够更好的实现结构小型化与高密度的设计。     

晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布

利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...