聚二甲基二烯丙基氯化铵的合成,表征及抗菌性能

65％的二甲基二烯丙基氯化铵（DADMAC）单体水溶液通过自由基聚合得到分子量约为5000的聚二甲基二烯丙基氯化铵（PDADMAC）均聚物。用红外光谱，核磁共振，X射线衍射仪，粘度法和扫描电镜对PDADMAC进行结构分析和表征。合成聚合物的抗霉菌实验表明，PDADMAC对多种霉菌有抑制作用，具有较宽的抑菌谱；抗细菌实验表明，PDADMAC对金黄色葡萄球菌，大肠杆菌，枯草芽孢杆菌具有不同程度的抑制作用。     

非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.     

电子束光刻中的辐照损伤

本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。     

Effect of end groups on complexation kinetics between cyclodextrins and guest polymers

α‐Cyclodextrin (α‐CD) has been complexed with various poly(ethylene glycol) (PEG) derivatives in aqueous solution. It has been found that the end groups of PEG derivatives affect the complexation kinetics greatly, but have only a little influence on the thermodynamic behavior. By increasing the hydrophobicity of end groups, the complexation speeds up rapidly. On the other hand, the bulky end groups slow down the threading of polymeric guests into the cavity of CD. By changing the hydrophobicity and the size of end groups, the complexation rate can be adjusted in the range of several orders of magnitudes, which should be quite useful in the design of new supramolecular systems. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 2050–2057, 2006     

高固体分羟基丙烯酸树脂的合成

以过氧化二苯甲酰（BPO）／过氧化二异丙苯（DCP）（质量比为2：3）为复合引发剂，二甲苯为溶剂，选用适量含羟基单体和分子量调节剂，以减缓树脂合成聚合反应中的自动加速现象，合成了分子量为3000-4000，多分散性指数d〈2的高固体分羟基丙烯酸树脂．该树脂与缩二脲多异氰酸酯（HDI）的配漆实验证明，所得漆膜鲜映性好、丰满度高、色泽好、雾影值低、综合性能较好．     

Matlab在“计算机辅助电路分析”中的应用

"计算机辅助电路分析"课程,是通过计算机仿真实验来训练学生分析和解决电路问题的能力.实践证明,将Matlab软件,特别是其中的Simulink仿真模块作为电路分析工具,引入到计算机辅助电路分析课程教学中,收到了良好的教学效果.本文以二阶电路阶跃响应问题的求解为例,介绍了辅以Matlab的五种求解方法,并对这五种方法的特点进行了比较,说明了Matlab在电路分析方面的优越性.     

非均匀散射层矢量辐射传输(VRT)方程高阶散射解的迭代法

将散射介质层在z轴方向划分成薄层，用薄层的一阶散射强度、Fourier变换和迭代方法求解散射介质整层的矢量辐射传输(VRT)方程的高阶散射解.该方法将一阶散射与高阶散射迭代结合起来，计算公式简明，可计算高阶迭代解，计算时间少.计算结果与一层均匀散射介质的VRT方程一阶Mueller矩阵解、半空间均匀散射介质二阶Mueller矩阵解、以及离散坐标-特征值特征矢量法的VRT热辐射的数值解作了全面的比较.提出并讨论了非均匀散射层主动与被动VRT方程的高阶解.本计算程序可以通用于非球形粒子多层结构及非均匀介质的散射和热辐射计算. 关键词： VRT方程 分层 迭代解     

FI代数的滤子

研究FI代数的滤子理论，建立F滤子、P滤子、Q滤子、C滤子之间的联系．     

Charmless Hadronic Decays B→VV in the Topcolor-Assisted Technicolor Model

Based. On the effective Hamiltonian with the generalized factorization approach, we calculate the branchingratios and CP asymmetries of B → VV decays in the Topcolor-assisted Technicolor (TC2) model. Within the consideredparameter space we find that: (a) for the penguin-dominated B → K* φ and K*0 φ decays, the new physics enhancementsto the branching ratios are around 40%; (b) the measured branching ratios of B →K* φ and K*0φ decays prefer therange of 3 Neffc 5; (c) the SM and TC2 model predictions for the branching ratio B(B →ρ ρ0) are only about halfof the Belle‘s measurement; and (d) for most B → VV decays, the new physics corrections on their CP asymmetries are generally small or moderate in magnitude and insensitive to the variation of mπ and Neffc.     

红光激发下掺Ho3+氟化物薄膜的上转换发光

利用激光脉冲沉淀法制备了稀土Ho~(3 )掺杂的氟化物薄膜。观测到处于薄膜中的Ho~(3 )离子在632.8nm红光激发下的上转换发射。这些上转换发射包括:~5S_2→~5I_7,~5F_4→~5I_7和~5S_2→~5I_8。