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21.
High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
22.
数量级在物理实验中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了数量级在物理实验设计、实验失败原因分析、误差分析及实验结果判断方面的应用. 相似文献
23.
采用在点正则变换下形状不变势的映射方法,给出了将Poschl-Teller Ⅰ势映射至Poschl-Teller Ⅱ势的点正则变换,并从Poschl-TellerI势的束缚态能级和波函数求得了Poschl-Teller Ⅱ势的束缚态能级和波函数. 相似文献
24.
25.
项斯端 《浙江大学学报(理学版)》2004,31(1):88-97
根据KIM和LEE(1999)将多管藻属分为两独立属新管藻及多管藻,报道了我国14种及1变种1变型多管藻,以及11种新管藻,其中19种为我国新记录,发表了新种垫状多管藻(Polysiphonia caespitosa sp.nov)及新变种岩生多管藻长节变种(P.scopulorum var.longinodium var.nov.). 相似文献
26.
27.
重点介绍了蓄电池电压陡降与容量之间的关系及各操作因素对电压陡降的影响。由此引出一种新的蓄电池容量预测思路,并就如何实现它进行了初步探讨,最后对该思路进行了简要的展望。 相似文献
28.
29.
30.
HUANG Xi-He SHENG Tian-Lu XIANG Sheng-Chang FU Rui-Biao HU Sheng-Min LI Ya-Min WU Xin-Tao ② 《结构化学》2007,26(2):161-164
The hydrothermal reaction of 1,2-dicyanobenzene with NaN3 in the presence of CuCl2, 2,2′-bipyridine and H2O affords a novel dinuclear copper(II)-ditetrazolate, [Cu(bpy)- (pdtz)]2 (Hpdtz = 5,5′-1,2-phenylene-ditetrazole, bpy = 2,2′-bipyridine). The pdtz ligand is generated in situ through Sharpless 2 3 cycloaddition reaction. Its crystal structure was deter- mined by single-crystal X-ray diffraction method. The crystal crystallizes in the monoclinic system, space group P21/n with a = 8.2096(16), b = 18.580(4), c = 11.838(2) , β = 103.12(3)o, V = 1758.5(6) 3, Z = 2, Mr = 863.83, Dc = 1.631 g/cm3, F(000) = 876 and μ = 1.272 mm-1. In this novel dinuclear structure, the pdtz ligand adopts a peculiar μ2-η1,η2 coordination mode. 相似文献