首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   138775篇
  免费   36121篇
  国内免费   34593篇
化学   65366篇
晶体学   2159篇
力学   6846篇
综合类   1565篇
数学   14229篇
物理学   65734篇
无线电   53590篇
  2024年   863篇
  2023年   1910篇
  2022年   3007篇
  2021年   2976篇
  2020年   3037篇
  2019年   3882篇
  2018年   3810篇
  2017年   5139篇
  2016年   5248篇
  2015年   6739篇
  2014年   7035篇
  2013年   9280篇
  2012年   10125篇
  2011年   11313篇
  2010年   14246篇
  2009年   14543篇
  2008年   8523篇
  2007年   7932篇
  2006年   7547篇
  2005年   6925篇
  2004年   7145篇
  2003年   5368篇
  2002年   5090篇
  2001年   5332篇
  2000年   4674篇
  1999年   3625篇
  1998年   2771篇
  1997年   2467篇
  1996年   2771篇
  1995年   3098篇
  1994年   3150篇
  1993年   3309篇
  1992年   2831篇
  1991年   2472篇
  1990年   2028篇
  1989年   2162篇
  1988年   2026篇
  1987年   1254篇
  1986年   1305篇
  1985年   906篇
  1984年   1052篇
  1982年   943篇
  1981年   785篇
  1980年   817篇
  1979年   569篇
  1978年   551篇
  1977年   642篇
  1976年   1048篇
  1972年   541篇
  1971年   451篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi2 nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n+-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO2 and 300 nm Si3N4. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi2 layer and a subsequent out-diffusion process to form the n+-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.  相似文献   
52.
通过对有线电视系统干扰信号产生原因的理论分析,提出在实际操作中的解决方案,以期达到使有线电视系统信号的输出更稳定、电视画面更清晰的目的。  相似文献   
53.
对纵向泵浦Cr∶Nd∶GSGG激光棒的热透镜效应进行了详细的理论分析。对温度分布的函数表达式 ,进行了讨论 ;分析了热引起的应力 ,得到了激光棒破裂的临界功率公式 ;最后对光学畸变进行了分析与讨论 ,推导了光程差计算公式  相似文献   
54.
非线性扩频序列的三项式特性   总被引:5,自引:1,他引:4  
李超  项攀攀 《通信学报》2004,25(2):162-167
讨论了三类非线性扩频序列(GMW序列、No序列和Kasami序列)的三项式特性,利用这三类序列的迹表示,证明了GMW序列、No序列和Kasami序列均具有正则三项式对。  相似文献   
55.
空时分组码技术结合信道编码、调制和天线分集技术,当发送天线一定时,他的解码复杂度正比于发送速率,在3G标准中,该技术有着重要的地位。对空时分组码及相关知识进行了介绍,并对可变速率的空时分组码设计进行了探讨,最后展望了空时分组码技术的应用前景。  相似文献   
56.
漯河中波台自安装238C防盗报警系统以来,多次出现误报现象,严重影响了发射及其他工作的正常进行。首先对该系统的工作原理进行了简单介绍,然后对误报故障现象进行了分析、处理,并改进了电路设计中存在的不足。改进后的运行数据表明,系统误报率明显下降,达到了预期的目的。最后,对本系统的设计提出了进一步完善的建议。  相似文献   
57.
针对雷达外场试验中的需求,提出了基于Matlab软件平台的数据分析处理系统。该系统能很好地完成雷达录取数据的精度分析、威力分析和各种显示图形的绘制,并且在实际中得到了应用。  相似文献   
58.
农村通信如何"突围"   总被引:2,自引:0,他引:2  
宋军  刘云 《世界电信》2003,16(10):3-5
农村通信作为农村地区信息化的基础,对于全面建设小康具有特殊的重要地位。介绍了我国农村通信的发展现状,分析了农村通信发展的困难压其原因,最后对农村压边远、欠发达地区通信的均衡震展提出了一些建议。  相似文献   
59.
在分析了当前高等教育培养基本模式的基础上,根据科学技术和社会经济发展的要求,提出了人才培养的模式和要求。特别针对电气工程及其自动化领域的发展趋势以及对人才的需求,提出了该专业人才的知识框架体系。  相似文献   
60.
欧文  李明  钱鹤 《半导体学报》2003,24(5):516-519
对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号