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针对跌倒常常对老年人的健康构成严重危害的问题.本文设计了一种基于肌电信号的跌倒检测方法,首先提取腓肠肌和股外侧肌的sEMG的模糊熵特征作为特征向量,然后,针对日常活动动作类(Activities of Daily Life,ADL)的数目远多于跌倒类导致的数据集不平衡的问题,提出了加权核Fisher线性判别方法,采用相应的平衡参数来调节样本核矩阵,最终,将跌倒与行走、蹲下和坐下辨识出来.实验结果表明,该方法跌倒平均识别率96.7%,ADL平均识别率99.4%,识别结果优于其它分类方法. 相似文献
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A new log-likelihood ratio (LLR) message estimation method is proposed for polarization-division multiplexing eight quadrature amplitude modulation (PDM-8QAM) bit-interleaved coded modulation (BICM) optical communication system. The formulation of the posterior probability is theoretically analyzed, and the way to reduce the pre-decoding bit error rate (BER) of the low density parity check (LDPC) decoder for PDM-8QAM constellations is presented. Simulation results show that it outperforms the traditional scheme, i.e., the new post-decoding BER is decreased down to 50% of that of the traditional post-decoding algorithm. 相似文献
63.
填埋垃圾渗滤液中水溶性有机物去除规律研究 总被引:10,自引:0,他引:10
采集垃圾渗滤液四个不同处理阶段水样,提取制备水溶性有机物(DOM),采用荧光光谱、紫外光谱及红外光谱,研究了不同阶段渗滤液DOM含量与结构特征。结果显示,整个处理过程渗滤液DOM浓度降低了377.6 mg·L-1,总去除率为78.34%,厌氧处理氧化沟和MBR过程分别去除了不同处理阶段出水中的水溶性有机物碳(DOC);厌氧处理增加了渗滤液DOM中不饱和化合物和多糖类物质含量,提高了渗滤液的可生化性;氧化沟处理有效降解了不饱和化合物和糖类。调节池和和厌氧处理过程DOM出现了类蛋白荧光峰和类腐殖质荧光峰,而氧化沟和MBR出水只有类腐殖质荧光峰,类蛋白物质和类富里酸物质主要在厌氧区和氧化沟中去除,而类胡敏酸物质主要在MBR过程中去除。 相似文献
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65.
红外线作为室内通信无线传输媒质,具有低成本、低功耗等特点.本文描述 了IEEE 802.11红外局域网媒质访问控制协议(MAC)和红外数据协会(IrDA)提出的高级红外媒质访问控制层协议(AIr MAC);研究了两种协议性能估计模型并利用OPNET仿真工具对IEEE 802.11 MAC与高级红外AIr MAC接入性能进行了仿真验证.通过对两种MAC协议接入方式、吞吐量性能估计模型以及吞吐量性能仿真结果进行比较分析,总结了IEEE 802.11红外局域网媒质接入协议和高级红外媒质接入协议之间的不同之处. 相似文献
66.
WCDMA中变步长功率控制过程 总被引:3,自引:0,他引:3
本文提出了一种可应用于WCDMA中的变步长功率控制策略,这种功控策略根据TPC命令的"历史",将功率控制过程划分为Markov状态,分析信道衰落步长的概率密度,每一状态对应一个确定的步长值,从而可以确定功率控制步长集中的步长数,我们选用概率密度最大的数值,同时考虑硬件可以分辨的最小步长在0.5dB左右,确定步长集.再用仿真的方法,确定状态和步长的对应关系.发射机依据当前的TPC命令决定应该增大还是减小发射功率,依据当前TPC命令和"历史"上的TPC命令选择合适的功率步长,进而确定发射功率. 相似文献
67.
理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明:边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反偏在一定程度上减小边缘直接隧穿泄漏电流. 相似文献
68.
为了实现LDO的恒定限流、低功率消耗以及高驱动能力,本文提出了一种分段电压折返式限流保护的微功耗LDO。通过限流阈值动态调整,不仅最大限度的增强了LDO驱动能力,而且使限流电路的静态电流仅为300nA。微功耗的高阻抗变换电路拉开了环路的主极点与功率管栅极极点,加上零极点抵消技术综合保证了系统的稳定性。该LDO采用BiCMOS工艺完成流片。测试结果表明,LDO的短路保护电流为190mA,高输入输出压差时的恒定限流440mA,低输入输出压差时的最大驱动电流可达800mA。LDO的静态电流仅为7μA。满量程负载调整率约为0.56%,线性调整率约为0.012%/V,120Hz下的PSRR为58dB,在250mA的负载电流条件下,漏失电压仅为70mV。 相似文献
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