电子词典生产中的SMT工艺

本文讨论了在电子词典生产中的ＳＭＴ工艺，着重阐述了ＳＭＴ工艺流程，列举了一些不良焊接及其产生不良焊接的原因以供参考。     

论网络升级方式与光纤选择的关系

在重点说明影响传输光纤设计的主要问题的同时，简要介绍了各种升级方式所面临的主要技术挑战，并详细说明这些挑战对传输光纤提出的技术要求。     

双齿配体—1,2—C_6H_4SX(X=O,S)的钴化合物~1H NMR研究

以~1H NMR谱学和磁化率对一些含邻苯二硫酚或巯基苯酚配体的钴化合物的磁性作了研究,并讨论了它们的电子结构。     

氟碳铈矿／直氟碳钙铈矿混层结构中新规则混层矿物的超微结构研究

用电子衍射和晶格像技术研究了钙稀土氟碳酸盐矿物中的氟碳铈矿（Ｂ）／直氟碳钙铈矿（Ｓ）混层结构，发现并确定了Ｂ＿４Ｓ＿４、Ｂ＿８Ｓ＿６、Ｂ＿１Ｓ＿６、Ｂ＿７Ｓ＿４和Ｂ＿２Ｓ＿１５种新规则混层矿物的对称性、晶胞参数及理论晶体化学式。根据所获得的高分辨晶格像真实而直观地揭示出该类Ｂ＿ｍＳ＿ｎ（ｍ＞ｎ）型新规则混层矿物的长周期有序堆垛结构特征及变化规律。     

自适应相位制中波同步广播及现场试验

在本试验中，采用智能同步广播激励器和ＣＣＴＶ传输的１ＭＨｚ标频，实现了中波同步广播同频保护率趋于０ｄＢ．并提出了自适应相位跟踪同步的概念。     

任意型一维FIR数字滤波器设计新方法

本文介绍了一种设计任意型（宽带、窄带、低阶、高阶、低通、高通、带通、带阻）一维FIR数字滤波器新方法．给出设计不同类型滤波器的统一方法。各种类型滤波器脉冲响应的设计公式简单、计算方便。该方法消除了Gibbs现象．不仅克服了优化设计中收敛速度、设计精度及初值选取等问题，而且减少设计高阶滤波器的时间。最后，本文给出了各种类型滤波器设计的仿真结果。     

动态分频器技术

本文介绍了动态分频器的基本原理；详细叙述了动态分频器电路及其主要工艺技术；综述了国外动态分频器的发展动态。     

同轴型光电器件的研究开发

本文简要地介绍了武汉电信器件公司正在研究开发的同轴型光电器件，新的器件的工艺与结构特点以及主要技术指标、使用前景。     

温度调谐LBO晶体光参量振荡器

本文详细研究０．５３２μｍ激光泵浦、温度调谐Ⅱ型非临界相位匹配ＬＢＯ光参量振荡器。当温度从２０℃升高到２００℃时，其信号波和闲置波的调谐范围分别为１．００２～０．８９８μｍ和１．１３４～１．３０６μｍ。本装置最吸引人之处是本征输出线宽比Ⅰ型情形小一个量级。     

Enhancement of oxide break-up by implantation of fluorine inpoly-Si emitter contacted p+-n shallow junctionformation

In this study, it is demonstrated that the incorporation of fluorine can enhance poly-Si/Si interfacial oxide break-up in the poly-Si emitter contacted p⁺-n shallow junction formation. The annealing temperature for breaking up the poly-Si/Si interfacial oxide has been found to be as low as 900°C. As a result, the junction depth of the BF₂-implanted device is much larger than that of the boron-implanted device