Al-Cu-Fe系初生准晶相凝固过程的电子显微分析

采用包括金相（OM），粉末X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）观察和透射电子显微（TEM）分析等方法，研究了铸态Al592.Cu36.8Fe3.0Si1.0合金（700℃保温2．5h后水淬）的显微组织及相组成。发现铸锭中存在4种相：准晶I相，τ3相（或φ相），θ－Al2Cu相和η－AlCu相，凝固过程可描述为：初生晶是准晶Ⅰ相；在保温过程中发生包晶或共晶反应（L＋i→τ3(或φ）或L→τ3（或φ）＋i)形成的τ3相（或φ相），呈微畴结构；而剩余液体水淬形成θ－Al2Cu相和η－AlCu 相。     

Synthesis and Properties of a Heteronuclear Ag（Ⅰ）/Ni（Ⅱ） Complex

Introduction Itiswell knownthatcyanogroupsincyanometa latessuchas[Ag(CN)2]-unitscanbeusedasbridg ingligandsandapolymericstructurecanbeformed throughsilver silver(argentophilic)interactions.This propertyhasbeenexploredintheconstructionofmany oligomericandp…     

一种高性能超宽带线性调频信号源

介绍一种VHF／UHF频段高性能超宽带线性调频信号源的设计与实现。首先简要阐述了高性能超宽带线性调频信号源的设计思想，然后依据基带数字产生结合倍频扩展带宽的思路提出了一种超宽带线性调频信号产生方案，并进行了设计实现研究。测试结果表明：按照本文阐述的指导思想和实现方案所设计的超宽带线性调频信号源达到 了相当高的性能。     

电视节目包装中的文字设计艺术

文字是电视节目包装中的重要元素之一,除了传达信息的基本功能外,经常起到决定整体效果的关键作用。节目包装文字设计应突出本台文化和本土文化,文字的设计必须与节目相匹配,形成统一整体。     

水稻,小麦后向散射特性的实验研究

对１９９０和１９９１年用Ｘ波段散射计测量的水稻和小麦后向散射系数在植物生长过程中随地物参数变化的结果进行了分析。结果表明：①Ｕｌａｂｒ对矮杆植被给出的经验模型与实验结果一致。②在水稻对微波的后向散射中，地面散射占主要部分。其后向散射系数可用植被参数Ｈ·Ｗ的线性模型来拟合。③由于麦田土壤含水量低，小麦后向散射系数一般比水稻低６ｄｂ左右。测量结果显示，在１８°入射角附近，小麦后向散射系数对土壤含水量较灵敏。在小麦生长过程中，测量的后向散射系数没有显示出明显的随生长期的规律性变化。     

患"颤抖病"中华绒螯蟹血细胞中类立克次体寄生的超微结构观察

本文对患“颤抖病”的中华绒螯蟹血细胞内类立克次体生物RLOs的寄生及繁殖特性进行了超微结构研究。正常中华绒螯蟹的血细胞可分为三类；无颗粒细胞、小颗粒细胞、小颗粒细胞和大颗粒细胞，而RLOs只特异性地侵染小颗粒细胞。RLOs以胞吞的方式进入小颗粒细胞，并在细胞内大量增殖形成包涵体，使细胞肿胀、瓦解、坏死，进而释放出RLOs，释放出的RLOs又继续侵染其他靶组织和细胞。     

改进的FD—TD法分析二维理想导体TM近区散射问题

本文针对一般ＦＤ－ＴＤ方法分析计算二维理想导体散射问题所遇到散射体边角处难以精确处理的缺点进行了改进。将边角处总场近似解析解直接引入ＦＤ－ＴＤ法差分公式，得到了有关修正系数，为了检验此方法的有效性，有无限长导体方柱为例分别用一般ＦＤ－ＴＤ法和本文的ＦＤ－ＴＤ方法进行了分析研究，并与ＭＯＭ法进行了比较，所得结果说明改进后的ＦＤ－ＴＤ方法对分析计算导体边角附近电流分布特性是较有效的。     

铁电致冷材料及其应用

利用铁电材料的电热效应（即逆热释电效应）可以制作新型致冷器。近年的研究进展表明，铁电致冷有可能发展成为一种新型的室温致冷技术。本文扼要介绍了铁电致冷的基本原理、可行性，以及铁电致冷材料和相关技术的发展，并展望了铁电致冷材料的发展前景。     

Pd-Ge contact to n-GaAs with the TiW diffusion barrier

Pd-Ge based ohmic contact to n-GaAs with a TiW diffusion barrier was investigated. Electrical analysis as well as Auger electron spectroscopy and the scanning electron microscopy were used to study the contact after it was subjected to different furnace and rapid thermal annealing and different aging steps. All analyses show that TiW can act as a good barrier metal for the Au/Ge/Pd/n-GaAs contact system. A value of 1.45 × 10⁻⁶ Ω-cm² for the specific contact resistance was obtained for the Au/TiW/Ge/Pd/n-GaAs contact after it was rapid thermally annealed at 425°C for 90 s. It can withstand a thermal aging at 350°C for 40 h with its ρ_c increasing to 2.94 × 10⁻⁶Ω-cm² and for an aging at 410°C for 40 h with its ρ_c increasing to 1.38 × 10⁻⁵ Ω-cm².