不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

计算机网络安全系统设计

分析了现代计算机网络所面临的威胁和各种安全问题,同时提出了在设计一个有关网络系统时应该考虑的一些安全问题,如网络安全策略与技术、网络的访问控制、网络数据加密技术、信息隐藏技术等安全问题。     

完全非相干白光一维光生伏打暗空间孤子

使用白炽灯作光源在LiNbO₃∶Fe晶体内实验观察到一维白光光生伏打暗空间孤 子. 由奇数 和偶数初始条件分别产生了灰孤子和灰孤子对，它们所感应的波导能导向白光和相干光. 用 相干光清楚地探测到它们内部的多模结构. 该实验证明了白光光生伏打暗空间孤子的存在， 并指出了用完全非相干的白光暗孤子控制和导向相干光的可能性. 关键词： 光生伏打效应 自陷 完全非相干孤子 波导     

ASON实际组网中架构及演进方式分析

对在实际组网中选择合理的ASON架构和保护方式作了相应分析，并为搭建可向ASON平滑演进的传统网络时需注意的问题提供了参考意见，     

微杯电子纸及其后加工制程

SiPix利用独特的微杯(Microcup)结构和顶部灌注封装技术，通过连续整卷高速涂布的制程成功地制造出高性能的双稳性、装填电泳微粒的电子纸。SiPix可提供下列两种规格形式任意的EPD卷式成品：(A)用于有源矩阵EPD和直接驱动产品的可剥离保护膜／已灌装及密封的Microcup／无图案导体膜夹层卷；及（P）用于无源矩阵的行导体膜／已灌装及密封的Microcup／列导体膜夹层卷。已经开发出将EPD卷制成不同的显示模块或产品的简单的后续加工制程。     

基于EPF10K30的ISA接口设计

随着计算机技术日新月异的发展。计算机控制已经深入到了各个领域，特别是在工业控制领域，计算机通过ISA总线与接口电路进行通信，然后由接口电路去控制被控设备，从而完成预期的控制工作．     

智能天线对移动通信网性能的影响

智能天线是目前移动通信中的热点话题之一，也是提升网络容量和改善传输质量的关键技术。本文简要介绍了智能天线基本概念，原理及其在无线网络中的重大作用。     

Data-efficient blind OFDM channel estimation using receiver diversity

We investigate non data-aided channel estimation for cyclically prefixed orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) systems. By exploiting channel diversity using only two receive antennas, a blind deterministic algorithm is proposed. Identifiability conditions are derived that guarantee the perfect channel retrieval in the absence of noise. In the presence of noise, the proposed method has the desired property of being data efficient-only a single OFDM block is needed to achieve good estimation performance for a wide range of SNR values. The algorithm is also robust to input symbols as it does not have any restriction on the input symbols with regard to their constellation or their statistical properties. In addition, this diversity-based algorithm is computationally efficient, and its performance compares favorably to most existing blind algorithms.     

16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.     

Hf-doped and NH/sub 3/-nitrided high-K gate dielectric thin film with least drain current degradation and flatband voltage shift

A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V.