Ba（n，x）~（134）Cs，~（134）Ba（n，2n）~（133）Ba，

用中子活化法相对于５４Ｆｅ（ｎ，Ｐ）５４Ｍｎ反应，在１３．５０—１４．８０ＭｅＶ中子能区测量了Ｂａ（ｎ，ｘ）１３４Ｃｓ，１３４Ｂａ（ｎ，２ｎ）１３３Ｂａ，１４０Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１３９Ｃｅ，１４２Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１４１Ｃｅ和２３Ｎａ（ｎ，２ｎ）２２Ｎａ的反应截面．并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较，中子能量是用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ反应和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比法测定的。     

薄Si膜对基底表面粗糙度的影响

利用ＺＹＧＯ光学干涉测量仪，散射积分测量法观测了光学元件表面均方根粗糙度．详细分析了薄Ｓｉ膜对基底均方根粗糙度的影响，由此认为薄膜并不总是复制基底表面的粗糙度，结果出现了薄膜降低表面粗糙度的现象．提出了一定厚度范围的薄Ｓｉ膜的表面粗糙度存在着一个稳定值的新设想．     

分形粗糙面的电磁散射－扩展边界条件

用扩展边界条件方法对分形粗糙良导体面及介质面的电磁散射问题进行了分析。用推广的Floquet模式，在分界面处将场分量用Fourier级数展开，根据边界条件及扩展边界条件得到了水平极化和垂直极化散射场的幅度分量的表达式。用其它近似方法（Kirchhoff和Rayleigh方法）及能量守恒准则验证了此方法的有效性。     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

分子振动态及其跃迁的激光相干控制

讨论了激光合成相干叠加态的原理及其性质 ,针对 XY2 型分子 ,证明了合成局域模振动的可行性 ,然后给出相干叠加态的跃迁几率特征 ,发现它仍表现出相干的特性 ,对之进行分析研究表明 ,分子的振动态具有可控性 ,态跃迁几率具有可控性。     

CORBA~( ):一个具有自卫智能体的扩展CORBA

将自卫机制加入OOP成为AOP以提高CORBA中软件的强健性和防卫能力,在CORBA这个异构环境中,一个对象申请服务之后就需等待,如果应答迟迟不到则有可能永远等待下去,为避免这种现象的产生和蔓延,在客户和服务方的行为中加入超时机制(timeout mecha-nism)并采用利己或利他策略,使得对象可独立地根据当前环境和时间决定下一步骤,将这种在协作者失败的情况下仍能生存的对象称为自卫智能体,加入白卫智能体的CORBA称为CORBA~( ),由于智能体可在任何条件下生存,CORBA~( )可为用户提供可靠的服务,也就能实现CORBA~( )中软件构成的强健性。     

The relation between luminous properties and oxygen content inZnS:TbOF thin-film electroluminescent devices fabricated byradio-frequency magnetron sputtering method

The purpose of this paper is to study the relationship between the oxygen concentration and brightness degradation in ZnS:TbOF green thin-film electroluminescent (EL) devices. The characteristics including crystallinity, optical, and electrical properties were discussed. The brightness-voltage (B-V) measurement results shelved that with higher oxygen-content in ZnS:TbOF phosphor layer, lower brightness was measured. It was consistent with the poor crystallinity, worse photoluminescent intensity, and easier to get moisture in the oxygen-rich (O/Tb>1) phosphor film. Furthermore, deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements identified that when the O/Tb ratio was greater than 1, the oxygen-related deep hole traps E_H1 and/or E_H2 could be detected in the ZnS:TbOF phosphor layer. These E _H1 and/or E_H2 traps were believed to be the main killers for the brightness of the device since they capture most of the holes from the generated electron-hole pairs. This evidence strongly supports that the modified energy transfer model is more dominant than direct impact excitation during the luminescent process     

彩色PDP用玻璃基板

本文讨论了彩色ＰＤＰ现用钠钙玻璃的热稳定性，指出由于这种玻璃在热处理过程中易变形和收缩，因而不适合作大面积彩色ＰＤＰ基板材料，介绍了彩色ＰＤＰ基板玻璃的制造方法和特点。最后介绍了日本旭硝子公司和美国康宁公司各自为彩色ＰＤＰ新开发的玻璃基板材料ＰＤ２００和ＣＳ２５。     

精密角位移传感器及其可靠性研究

从理论上探讨了磁阻率效应，叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达０．０１°，通过可靠性寿命试验，传感器的失效率λ（ｔ）＜１×１０－７／ｈ。