TMS320 F206定点DSP芯片开发实践

以TMS320F206为例,着重探讨了DSP系统开发过程中的硬件设计与调试、软件设计中的流水线冲突、等待状态设置以及如何利用闪速存储器等相关问题.     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

激光调Q CAI

从激光调Q速率方程出发,分析推导了激光调Q过程中,腔内光子数与工作物质内反转粒子数间的关系.再根据激光调Q的过程中,对腔Q值控制方式不同,将激光调Q技术分为:转镜调Q、声光调Q、电光调Q、饱和吸收调Q和脉冲透射式调Q.用C语言进行了激光调Q CAI软件的开发研制,获得了将文学、图形、动画和计算融为一体的,直观而生动地将调Q的理论和过程再现于屏幕的CAI课件.介绍了课件的内容、结构及其特点.     

神经网络余／十转换的数学原理

本文提出了孙子定理的微分方程求解法，讨论了系数为求余算子的非线性微分方程的稳定平衡点和最佳解的误差。本文构造的非线性微分方程可以唯一地收敛于孙子定理的解，其误差可任意小。该微分方程可用人工神经网络实时计算，实现余／十转换。计算机模拟结果证实了本文理论的正确性。     

光纤孤子在媒质突变界面的反射与透射

本文通过波包慢变假定,准单色近似和径向模式平均法,建立了光纤孤子反射和透射问题的支配方程和边界条件,借助光束传播法,数值模拟孤子在光纤单界面上的反射和透射过程,文中还给出数值实例。 关键词：     

压电复合材料PT－P（VDF／TeFE）的静水压压电性

用热轧辊机制备了压电复合材料ＰＴ－Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ），并利用ＬＣＲ电桥和Ｂｅｒｌｉｎｃｏｕｒｔ电路分别测量了其介电常数和压电常数，实验结果表明它具有良好的静水压压电特性。最后讨论了该复合材料在水听器中的应用     

钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应

以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I⁺离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词：