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介绍了一种带USB接口的光的155Mb/s码型发生器。伪随机码和其他格式的码型由PC产生通过USB接口进入双口RAM,再经串并变换后由光发射模块发射。该系统可方便地设定各种格式的码型,并同时具备光接口和电接口,可广泛应用于光通信各种实验中,具有重要的实用价值。 相似文献
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乌桕类可可脂结晶过程中表现体积变化 总被引:1,自引:0,他引:1
为了解乌桕类可可脂(CTCBE)缓冷结晶横向胀罐爆裂原因,研究CTCBE结晶过程中的膨胀特性,采用流体静力法测试了不同等温结晶条件下CTCBE结晶形成的表观密度和表观体积及其横纵向膨胀状况。结果表明,CTCBE缓冷结晶后形成外部和中部两个晶区。在5-25℃的各等温结晶范围内,当结晶温度增加时,外部结晶区域减小、表观密度变化不大;中部结晶区域增大、表观密度明显减小,CTCBE的表观体积、横向、纵向膨胀率均增大,膨胀横向大于纵向。进一步表明CTCBE在自然缓冷固化的表观体积根本上由其结晶温度决定。为有效防止横向胀罐,自然缓冷固化温度应低于10℃。 相似文献
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介绍了研制出其性能达国际先进公司同类产品水平的塑封双列直插式光耦合器的工作原理和提高绝缘耐压的技术难点,从引线框架设计、加工精度控制、内包封材料选型、理想内包封形状控制、塑封气密性的实现、环境条件的完善等方面讨论了提高绝缘耐压的设计和工艺要点。 相似文献
17.
设计了一种适合在低电源电压下工作的前馈型输入级放大结构,在全摆幅的动态工作范围内,输入级跨导保持不变,采用负载电流补偿以保证增益近似恒定,输出采用前馈型AB类输结构,实现全摆幅输出。 相似文献
18.
19.
研究非Chetaev型变质量非完整系统的Lie对称性与Noether对称性以及其间的 关系,给出Lie对称性导致Noether对称性以及Noether对称性导致Lie对称性的条件. 相似文献
20.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献