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121.
等腰三角形Mindlin板的自由振动分析 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种新方法来对基于 Mindlin剪切变形理论的等腰三角形板进行自由振动分析 .此方法采用了一种新的基函数并利用 pb-2 Rayleigh-Ritz边界函数得到了一种新型的 Ritz方法 .这种方法的有效性通过收敛性和对比性分析得到了证实 .数值结果表明此方法相当精确有效 . 相似文献
122.
123.
文章提出了一种由电流差分缓冲放大器(CDBA)实现的两种电流模式多功能双二次滤波器,该滤波器具有可实现多种滤波功能、能独立地调节ω0和Q、灵敏度较低等特点。 相似文献
124.
125.
运输网络中最小饱和流的求解 总被引:4,自引:0,他引:4
运输网络中常常由于流量的不可控易发生堵塞现象.网络发生堵塞时的饱和流值达不到最大流值.最小饱和流是运输网络,尤其是紧急疏散网络设计中很重要的一个参数.通过建立网络的割集矩阵来确定网络的堵塞截面,基于此提出了求解最小饱和流的线性规划模型及算法.举例分析表明,利用该算法计算网络最小饱和流更加简便、更加实用. 相似文献
126.
CHEN Yue WANG Xuan-jun CONG Xian-ling ZHANG Pei-yin WU Xiu-li WEI Hong-fei WANG Li WAN Min WANG Li-ying YU Yong-li 《高等学校化学研究》2006,22(6):712-716
IntroductionClassical swine fever(CSF), included in the listA of the Office International des Epizooties(OIE), is ahighly contagious disease of domestic pigs and is con-sidered as the mostharmful disease occurring in pigs allover the world[1]. Outbreaks o… 相似文献
127.
Effects of Substrate Temperature on Helium Content and Microstructure of Nanocrystalline Titanium Films 下载免费PDF全文
Helium-charged nanocrystalline titanium films have been deposited by HeAr magnetron co-sputtering. The effects of substrate temperature on the helium content and microstructure of the nanocrystalline titanium films have been studied. The results indicate that helium atoms with a high concentration are evenly incorporated in the deposited titanium films. When the substrate temperature increases from 60℃ to 350℃ while the other deposition'parameters are fixed, the helium content decreases gradually from 38.6 at.% to 9.2at.%, which proves that nanocrystalline Ti films have a great helium storage capacity. The 20 angle of the Bragg peak of (002) crystal planes of the He-charged Ti film shifts to a lower angle and that of (100) crystal plane is unchanged as compared with that of the pure Ti film, which indicates that the lattice parameter c increases and a keeps at the primitive value. The grain refining and helium damage result in the diffraction peak broadening. 相似文献
128.
129.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
130.
牛顿弦截法预估校正迭代格式的收敛阶 总被引:2,自引:0,他引:2
研究如下形式的牛顿弦截法的预估校正(P.C.)格式:P(预估):~xk+1=xk-(xk-xk-1)f(xk)f(xk)-f(xk-1)C(校正):xk+1=xk-(~xk+1-xk)f(xk)f~(xk+1)-f(xk)证明了它的收敛阶为2.618. 相似文献