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81.
EBPSK调制信号功率谱分析 总被引:8,自引:1,他引:7
调制技术对数据传输效率有重要意义.提出EBPSK调制方法,推导了其功率谱解析表达式,给出EBPSK在不同调制指数时功率谱理论值与仿真结果,验证了理论分析的正确性.同时,揭示了EBPSK已调信号功率谱随调制角变化的规律;并对功率谱、频谱效率及其与抗干扰性能关系进行了分析. 相似文献
82.
83.
北京同步辐射装置3B1B生物光谱实验站 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍北京同步辐射装置(BSRF)3B1B光束线、生物光谱实验站和圆二色谱仪的基本情况。报道北京正负电子对撞机(BEPC)同步辐射专用光期间,我们在站测量了11种手征性生物和药物样品的圆二色(CD)谱,首次在国内利用同步辐射光获取了D-苯丙氨酸等样品的CD谱和D-及L-亮氨酸对称的CD曲线。 相似文献
84.
����������ƽ������Ӣ�����ȼ�������̺� 《核聚变与等离子体物理》2006,39(3):243-248
As the ITER first wall Be/CuCrZr hot isostatic pressing (HIP) bonding intermediate transition layer, Ti/Cu layer can form a multi-layer intermediate metal phase, and defects such as cracks occur between the Ti/Cu metal phases. CuCrZr was used instead of Be, and a number of CuCrZr/Ti/Cu/CuCrZr joints were fabricated by the same HIP process as Be/CuCrZr to analyze the Ti/Cu joints. The effects of stress relief annealing on joint strength and defect distribution of the joints unannealed, annealed at 400°C and 500°C respectively were studied. The results show that three layers of Ti/Cu diffusion layers are formed on both sides of the intermediate titanium layer, namely Cu4Ti, CuTi and CuTi2. The thickness of Cu4Ti on the pure copper side is thicker than that on the CuCrZr side, so that the crack is almost entirely distributed at the junction of Cu4Ti and CuTi on the pure copper side where brittle fracture is easy to occur in the tensile samples. As the annealing temperature increases, the generation and propagation of cracks decreases. 相似文献
85.
本文观察到了KNbO_3:Fe晶体的时间微分效应,并用这个微分效应进行了图像追踪的演示,为KNbO_3:Fe晶体在光折变器件领域的应用进行了有益的探索。 相似文献
86.
87.
ZST微波陶瓷在介质振荡器上的应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用传统固相法制备ZST(氧化锆-氧化锡-氧化钛)系微波陶瓷,研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行研究,实验结果表明:少量掺Bi2O3的ZST系陶瓷材料可把烧结温度降低至1 260℃,微波介电性能较好;掺入量大于2%(质量分数)时,ZST系微波陶瓷在晶界偏析形成了Bi2Ti2O7新相,微波性能下降。用微波介电性能较好的ZST系陶瓷制成的介质振荡器进行测试,其电性能满足设计要求。 相似文献
88.
WU Jiada WU Changzheng ZHONG Xiaoxia SONG Zhoumo LI Fuming 《Chinese Journal of Lasers》1997,6(2):161-168
l.IntroductionowingtotheirpromisingproPertiesandPOtentialapplications,transitionmetalni-trideshavedrawngreatattentionandthepreparationandinvestigationofthesecom-poundshavebeenasubjectbothofscientificandoftechnologicalinterest.Transitionmetalnitridescombineadvantagesofexce1lenthardness,highmeltingPOint,goodchemi-calstabilityandhigheIectricalconductivity[11,henceoverlaySofthesecompoundshavefoundwideappIicationsinvariousfie1ds.Molybdenumnitrides,inparticular,havealsoemergedasverypromisingcandi… 相似文献
89.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
90.
研究全稳定广义生灭最小Q过程的可配称性,获得广义生灭最小Q过程是可配称的充分必要条件,以及最小Q过程是唯一的可配称Q过程的充分必要条件. 相似文献