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271.
“选择资费”的多重价格歧视特性 总被引:3,自引:0,他引:3
本文在分析电信业选择资费实例和价格结构的基础上 ,研究了选择资费中的三级和二级价格歧视 ,并提出了多重价格歧视的概念 .研究结果表明 ,电信公司在选择资费中综合运用了三级、二级价格歧视 ,且通过提供多个二部资费计费方案 ,达到双重二级价格歧视和优化二部资费的目的 .选择资费是电信公司应对市场竞争的一种定价策略 ,认识其经济特性有利于我国电信公司和电信管制部门进行科学决策 相似文献
272.
273.
介绍了利用科研项目和科研成果,将最新技术与成果向实践性环节转化,开设高水平系列化的综合型,设计型实验的一些做法,并总结了科研成果向实践性环节转化过程中的一些社会。 相似文献
274.
275.
掺Eu3+硅基材料的发光性质 总被引:9,自引:5,他引:4
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。 相似文献
276.
文章介绍2001年度国家自然科学奖二等奖获奖成果,在北京正负电子对撞机上采集了Ψ(2S)粒子大数据样本,开展了粲偶素物理的广泛研究:完成了6个粲偶素涉及质量,宽度和衰变化支比等大批重要参数的首次测量或高精度测量;通过对Ψ(2S)和J/Ψ强衰变性质的比较研究,观察到一系列反常现象,挑战现有理论图像。该项研究成果对量子色动力学的检验与发展具有重要意义,为我国粲偶素物理实验研究的继续发展并保持先进水平奠定坚实基础。 相似文献
277.
Jinyan Fan 《Computational Optimization and Applications》2006,34(2):215-227
In this paper, we present the new trust region method for nonlinear equations with the trust region converging to zero. The
new method preserves the global convergence of the traditional trust region methods in which the trust region radius will
be larger than a positive constant. We study the convergence rate of the new method under the local error bound condition
which is weaker than the nonsingularity. An example given by Y.X. Yuan shows that the convergence rate can not be quadratic.
Finally, some numerical results are given.
This work is supported by Chinese NSFC grants 10401023 and 10371076, Research Grants for Young Teachers of Shanghai Jiao Tong
University, and E-Institute of Computational Sciences of Shanghai Universities.
An erratum to this article is available at . 相似文献
278.
设计并镀制了193nm Al2O3/MgF2反射膜,对它们在空气中分别进行了250-400℃的高温退火,测量了样品的透射率光谱曲线和绝对反射率光谱曲线.发现样品在高反射区的总的光学损耗随退火温度的升高而下降,而后趋于饱和.采用总积分散射的方法对样品在不同退火温度下的散射损耗进行了分析,发现随着退火温度的升高散射损耗有所增加.因此,总的光学损耗的下降是由于吸收损耗而不是散射损耗起主导作用.对Al2O3材料的单层膜进行了同等条件的退火处理,由它们光学性能的变化推导出它们的折射率和消光系数的变化,从而解释了相应的多层膜光学性能变化的原因.反射膜的反射率在优化联系、镀膜工艺与退火工艺的基础上达98%以上. 相似文献
279.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
280.