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141.
利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰
强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的. 相似文献
142.
对具有消息恢复的数字签名方案提出了两种攻击方法.此外,对原方案进行了改进,通过对改进方案的安全性分析得出结论:改进方案比原方案更安全,并且消息恢复过程只需要计算一次大数模幂乘和两次单向函数. 相似文献
143.
继续作者最近的研究,用所谓的Hankel向量方法建立S[a,b]函数类中带边界插值数据的Nevanlinna-Pick插值问题与[a,b]上的某种带约束条件的Hausdorff矩量问题之间解集之间明确的一一对应关系.通过N[a,b]函数类与S[a,b]函数类之间的联系,从而由BNP(N[a,b])问题的可解性准则和解的参数化描述获得BNP(S[a,b)问题的可解性准则和解的参数化表示. 相似文献
144.
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。 相似文献
145.
酮与稳定膦叶立德在家用微波炉中加热,在无任何溶剂或固体介质条件下,4.5min之内完成反应,得到了良好产率的Wittig反应产物,较之液相苯中回流反应的传统方法,此法具有时间短、操作步骤简单、无毒害等优点,同时使一些在传统方法中与稳定叶立德不反应或难反应的酮得以进行并有较好收率。此外,在得到α,β-不饱和酯的同时,还发现了少量重排产物β,γ-不饱和酯,并对其机理进行了推测与证明。 相似文献
146.
147.
148.
新型微球板电子倍增器和微通道板相比具有高增益、无离子反馈、制备简单、造价低廉等优点。介绍了微球板电子倍增器的工作原理、特点和广阔的应用前景。由于微球板基体的形成技术是微球板制备的关键技术,论文从理论上研究了微球板基体烧结过程中的烧结速率。并采用自行设计组分的高铅玻璃,用立式炉成珠设备进行了玻璃微珠的制备。探索了微球板制备过程中玻璃微珠的分级技术、微球板电子倍增器基体成型工艺和技术。制备出基本满足要求的微球板电子倍增器基体。给出了制造的样品和文献上样品结构的SEM对比照片,最后对实验过程中的一些现象进行了分析,并给出了实验的结论。 相似文献
149.
150.
A periodic one-dimensional four-state hopping model is proposed. In the model, the substeps betweenarbitrary adjacent states are unequal, and an explicit solution of the master equation is first obtained for the probabilitydistribution as a function of the time and position for any initial distribution with all the transients included. Next, thetransient behaviors in the initial period of time and the characteristic time to reach the steady state for the molecularmotor are discussed. Finally, we compare the steady state results to experiments and illustrate qualitatively the kineticbehaviors of a molecular motor under external load F. 相似文献