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Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
97.
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提出用溶胶粒子表面修饰方法,结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜.该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用,经溶胶凝胶过程,将活性组分结合到无机膜中.实验测定结果表明:(NiEDTA)2-,VO-3,MoO2-4,(Pd(NH3)4)2+,PdCl2-4,PtCl2-6和RhCl3-6可用来修饰AlOOH溶胶.以Pd/γAl2O3催化膜的制备为例,经三次溶胶凝胶过程,可制得无裂缺的厚度为9μm的Pd/γAl2O3催化膜,膜材料的平均孔直径为6nm,Pd被均匀地分布在膜的顶层,其平均粒径为23nm. 相似文献
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