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101.
介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。 相似文献
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103.
104.
105.
106.
网络安全风险评估技术能够检测网络系统潜在的安全漏洞和脆弱性,评估网络系统的安全状况,是实现网络安全的重要技术之一.文中对基于多阶段攻击的网络安全风险评估方法进行了研究,给出了多阶段攻击的网络安全风险评估方法的评估过程,分析了该评估方法中的关键参数,构建了基于多阶段攻击的网络安全风险评估的模型,最后通过实践验证了该方法的有效性,一定程度上提高了评估结果的准确性和一致性。 相似文献
107.
108.
在工业和工程领域中,广泛地应用圆柱形弹性薄壁贮液容器。在冲击或地震地面运动激励下,此种容器的变形,严格地说就遵循薄壳结构动力学规律。考虑到在水平地震作用下短圆柱形容器的变形,剪切效应起主导作用,因而可用剪切梁变形理论来近似地代替。对于盛有液体的贮液容器,因为激励引起的振动是耦联的,即液体中产生的液动压力与结构的变形有关,而结构的变形又受到液动压力的很大影响。欲寻求此种耦联体系的动力响应,必须对其动力特性进行分析。为此,本文根据Fischer“冲击质量”理论,提出了对圆柱形弹性贮液容器基频的近似计算方法。此方法概念清晰,计算简便,很便于工程上应用。 相似文献
109.
文章首先分析了我国目前变电站自动控制系统的发展现状及存在的问题,在此基础上重点设计了基于工业以太网的综合自动控制系统,给出了系统的网络体系结构和具体实施实现方案,对于进一步提高变电站综合自动控制水平及实现无人值守化的发展均具有一定借鉴意义。 相似文献
110.
激光辐照面阵CCD探测器的杂散光斑现象 总被引:2,自引:2,他引:0
为了研究短脉冲强激光辐照下同轴数字全息图像中的杂散光斑,进行了短脉冲强激光辐照和停止激光辐照情况下CCD图像采集的实验,采用粒子衍射原理和CCD输出电信号的过程分析了CCD图像灰度的变化,得到了像素上灰尘的衍射及CCD吸收激光能量导致复位电平失常是杂散光斑及阴影产生的原因,受热效应和记忆效应的影响,激光辐照停止后CCD图像采集失常。结果表明,激光辐照停止后随着热量的消散,杂散光斑逐渐消失,去除灰尘并延长CCD的图像采集时间间隔,避免CCD产生热积累能有效消除杂散光斑。 相似文献