专用超大规模集成电路在LED显示系统中的应用

自1976年蒙特利尔奥运会采用了第一块黑白视频显示屏以来，各种大屏幕特别是LED显示屏得到了迅猛发展，在现代信息社会中更是随处可见。在这些显示系统中，应用了大量的不同种类的集成电路作为驱动芯片。本文叙述了运用于LED显示系统中的超大规模集成电路的强大功能。     

碳纳米管及其批量制备研究进展

从碳纳米管的优异性能和应用出发,综述了碳纳米管的制备方法以及我国目前在碳纳米管研究中面临的问题;分析了碳纳米管产业化对的我国纳米技术产业化发展的积极意义,特别介绍了清华-南风纳米粉体产业化工程中心开发的、具有我国自主知识产权的纳米聚团流态化技术。     

可见光共振腔发光二极管的研究进展

共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性，并展望了这种器件的发展前景。     

基于重复测量数据的Poisson回归模型的偏大离差的Score检验

Poisson回归模型广泛应用于分析计数型数据 ,Dean&Lawless(1989)和Dean(1992 )讨论了非重复测量得到的计数型数据的偏大离差存在性的检验问题 .本文分别利用随机系数模型和对数非线性模型讨论了基于重复测量得到的计数型数据的偏大离差的检验问题 ,得到了检验的score统计量 .     

关于综合 DEA 模型中的 DEA 有效决策单元集合的几个恒等式

DEA 模型(C~2R 模型,C~2GS~2模型,C~2W 模型和 C~2WH 模型等)是用来评价决策单元之间的相对有效性的.本文将给出关于具有更一般形式的综合 DEA 模型中的 DEA 有效决策单元集合的几个恒等式.这些等式表明在评价相对有效性时,可以将决策单元按照实际情况进行分组,先评价组内决策单元之间的相对有效性,再利用得到的信息进行不同组之间的有效决策单元的效率评价,如此等等.这种分组逐一进行评价的     

Fusion Proteins Cpn10-E^rns with Properties of Generating CSFV-Neutralized Antibodies

IntroductionClassical swine fever(CSF), included in the listA of the Office International des Epizooties(OIE), is ahighly contagious disease of domestic pigs and is con-sidered as the mostharmful disease occurring in pigs allover the world[1]. Outbreaks o…     

极大单调算子和m增生映射值域的扰动定理及在非线性微分方程上的应用

利用不动点定理,分别证明了在自反Banach空间中极大单调算子值域扰动的抽象结论和在H ilbert空间中m增生映射值域的扰动结果,这些结论是对以往一些工作的推广;然后,利用文中的新结论讨论了一类微分方程解的存在性.     

Characteristics of Nd：GdVO4 Laser with Different Nd-Doping Concentrations

We report the properties of a compact diode-pumped continuous-wave Nd：GdV04 laser with a linear cavity and different Nd-doped laser crystals. In a 0.2at.% Nd-doped Nd：GdVO4 laser, 1.54 W output laser power is achieved at 912nm wavelength with a slope efficiency of 24.8% at an absorbed pump power of 9.4W. With 0.3at.% Nd-doping concentration, we can obtain the either single-wavelength emission at 1064nm or 912nm or the dual-wavelength emission at 1064nm and 912nm by controlling the incident pump power. From an incident pump power of 11.6 W, the 1064nm emission between ^4Fa/2 and ^4I11/2 is suppressed completely by the 912nm emission between ^4Fa/2 and ^4I9/2. We obtain 670 mW output of the 912nm single-wavelength laser emission with a slope efficiency of 5.5% by taking an incident pump power of 18.4 W. Using a Nd：GdV04 laser with 0.4at.% Nd-doping concentration, we obtain either the single-wavelength emission at 1064nm or the dual-wavelength emission at both 1064nm and 912nm by increasing the incident pump power. We observe a strong competition process in the dualavelength laser.     

孤立分散在SiO2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究

利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO₂介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO₂介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰 强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的.