全文获取类型
收费全文 | 97383篇 |
免费 | 18519篇 |
国内免费 | 21354篇 |
专业分类
化学 | 37948篇 |
晶体学 | 2539篇 |
力学 | 4430篇 |
综合类 | 2149篇 |
数学 | 9090篇 |
物理学 | 27366篇 |
无线电 | 53734篇 |
出版年
2024年 | 541篇 |
2023年 | 1534篇 |
2022年 | 3667篇 |
2021年 | 3470篇 |
2020年 | 3231篇 |
2019年 | 2928篇 |
2018年 | 2928篇 |
2017年 | 4185篇 |
2016年 | 3152篇 |
2015年 | 4764篇 |
2014年 | 5917篇 |
2013年 | 7292篇 |
2012年 | 7999篇 |
2011年 | 8344篇 |
2010年 | 8309篇 |
2009年 | 8505篇 |
2008年 | 9064篇 |
2007年 | 8781篇 |
2006年 | 8252篇 |
2005年 | 6896篇 |
2004年 | 5285篇 |
2003年 | 3691篇 |
2002年 | 3319篇 |
2001年 | 3398篇 |
2000年 | 3358篇 |
1999年 | 1722篇 |
1998年 | 794篇 |
1997年 | 596篇 |
1996年 | 582篇 |
1995年 | 521篇 |
1994年 | 527篇 |
1993年 | 535篇 |
1992年 | 490篇 |
1991年 | 325篇 |
1990年 | 296篇 |
1989年 | 316篇 |
1988年 | 291篇 |
1987年 | 236篇 |
1986年 | 216篇 |
1985年 | 148篇 |
1984年 | 151篇 |
1983年 | 134篇 |
1982年 | 104篇 |
1981年 | 86篇 |
1980年 | 77篇 |
1979年 | 89篇 |
1978年 | 23篇 |
1977年 | 19篇 |
1965年 | 35篇 |
1959年 | 16篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
82.
83.
84.
85.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
86.
87.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
88.
89.
90.