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51.
SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径,从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。 相似文献
52.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
53.
Cobalt antidot arrays with different thicknesses are fabricated by rf magnetron sputtering onto porous alumina substrates. Scanning electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction are employed to characterize the morphology and crystal structure of the antidot array, respectively. The temperature dependence of magnetic properties shows that in the temperature range 5K--300K, coercivity and squareness increase firstly, reach their maximum values, then decrease. The anomalous temperature dependences of coercivity and squareness are discussed by considering the pinning effect of the antidot and the magnetocrystalline anisotropy. 相似文献
54.
55.
NCP101x系列转换开关在超高亮度Luxeon Star LED驱动电路中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
NCP101x系列自供电转换开关集成了固定频率电流模式控制器和900 V的MOSFET.介绍NCP101x系列电路的引脚功能和特点,给出基于NCP101x的Luxeon Star发光二极管(LED)驱动电路. 相似文献
56.
研究了基于IEEE754标准的浮点数的存储格式,提出了一种基于ARM7的改进的浮点数转换成整型数的算法。分析了C/C++中的强制类型转换和改进浮点数转换成整数的算法,比较了两种算法的优缺点。并把改进算法移植到嵌入式平台ARM上。 相似文献
57.
58.
Analytic Solution of Charge Density of Single Wall Carbon Nanotube under Conditions of Field Electron Emission 下载免费PDF全文
We derive the analytic solution of induced electrostatic potential along single wall carbon nanotubes. Under the hypothesis of constant density of states in the charge-neutral level, we are able to obtain the linear density of excess charge in an external field parallel to the tube axis. 相似文献
59.
一种改进的共同进化遗传算法及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
将共同进化遗传算法应用于临床营养决策优化中,虽然取得了一定成果,但算法中仍存在早熟现象、局部搜索能量弱等问题,为此提出一种改进的共同进化模型。算法使用新的子群体划分方法和交叉算子,引入精英保留策略、信息交换原则和小生境技术。通过对糖尿病营养治疗的仿真表明,改进后的算法在保证群体多样性和避免早熟现象的前提下,提高了算法的局部和全局寻优能力,且膳食配方中营养素达标率符合要求,满足专家建议的糖尿病饮食需求。 相似文献
60.
采用光学显微镜和扫描电子显微镜等手段,对某轻型汽车40Cr后桥半轴断裂件的组织及断口特征进行了分析结果表明:半轴在调质处理时的淬火温度不够高,使其表层和心部组织中存在较多的铁素体相,造成了工件最终的硬度和疲劳强度不足,导致半轴在使用中发生扭转疲劳断裂. 相似文献