强流四脉冲电子束源实验研究

 为了进行强流多电子束源研究，对现有2MeV LIA 注入器进行了四脉冲改造，二极管脉冲电压约500kV。实验研究了天鹅绒阴极在四脉冲条件下的发射能力、传导电流负载效应以及阴极等离子体运动对阴极电子发射和束能量的影响。利用空间电荷限制流模型推算出阴极等离子体膨胀速率在1 ~4cm/μs之间。     

用于激光推进的高功率激光器的选择

 从激光推进的要求出发，阐述了用于激光推进的高功率激光器的选择原则，即激光器必须满足：（1）高的平均功率和峰值功率；（2）高的单脉冲能量；（3）高的重复频率；（4）优良的大气传输特性。主要分析了目前YAG固体激光器、自由电子激光器和TEA脉冲CO₂激光器的特点，通过上述4个方面性能的比较，认为在目前水平下，TEA脉冲CO₂激光器是进行激光推进的首选强激光源，其优点表现在：功率可达10kW量级，单脉冲能量可达0.5~1kJ，重复频率为20~40Hz；激光波长处于大气传输窗口，对大气变化不敏感；工作物质快速流动，不存在热透镜效应和破坏阈值；相关光学元件易于制造；光束质量较好；运行成本低。     

在几何和参数上表示同一条曲线的两条有理NURBS曲线的权与控制顶点之间的关系

The paper discusses the relationship between weights and control vertices of two rational NURBS curves of degree two or three with all weights larger than zero when they represent the same curve parametrically and geometrically, and gives sufficient and necessary conditions for coincidence of two rational NURBS curves in non-degeneracy case.     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

Viterbi译码器的硬件实现

介绍了一种Vkerbi译码器的硬件实现方法。设计的基于硬判决的Viterbi译码器具有约束长度长（9)、译码深度深（64)的特点。为了兼顾硬件资源与电路性能两个方面，在设计中使用了4个ACS单元，并根据Xilinx Virtex系列FPGA的结构特点．利用FPGA内部的BlockRAM保存汉明距离和幸存路径，提高了译码速度。     

(ΩΩ)0+ Dibaryon Productions in Central Au+Au Collisions at RHIC Energy(SNN)= 130 GeV

Based on the measured transverse mass spectra ofπr-, K-, and p at the RHIC energy s()NN = 130 GeV,di-omega productions from baryon-baryon reactions in hadronic matter are studied. Results about the (ΩΩ)0+ numbershow that the deeply bound state (ΩΩ)o+ can be observed at RHIC energies.     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

Low-Temperature Magnetic Properties of Co Antidot Array

Cobalt antidot arrays with different thicknesses are fabricated by rf magnetron sputtering onto porous alumina substrates. Scanning electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction are employed to characterize the morphology and crystal structure of the antidot array, respectively. The temperature dependence of magnetic properties shows that in the temperature range 5K--300K, coercivity and squareness increase firstly, reach their maximum values, then decrease. The anomalous temperature dependences of coercivity and squareness are discussed by considering the pinning effect of the antidot and the magnetocrystalline anisotropy.