Adams谱序列中α~s(n)h0hk的收敛性

证明了(i)在p≥ 5,2≤s≤p- 1 ,k≥ 2时, β_sh₀h_k+1收敛到E_∞ ;(ii)在p≥7,3≤s≤p-1,k≥3时, γ_sh₀h_k+1收敛到E_∞.     

硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响

研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。     

IPTV助推数字家庭时代的到来

不同行业都在关注数字家庭的发展，但数字家庭发展缓慢的现状不容忽视。现阶段来看通信和媒体娱乐业务是数字家庭市场需求的重点，基于电信网络的数字家庭通过借助IPTV的音视频和增值应用业务可以顺应此要求。IPTV业务包括基本的音视频广播、点播、时移业务，以及信息服务、音视频通信、互动游戏、即时通讯、卡拉OK、远程教育等增值应用服务，非常适合数字家庭的发展需要，将使数字家庭的应用变得更为现实。未来，进一步推动数字家庭发展需要在易用性和业务创新两个方面取得突破，需要通过设备间的协同工作，为用户提供基于数据、语音、视频的三重业务新体验。     

质子滴线区新的缓发质子先驱核121Ce

藉助核反应⁹²Mo(³²S ,3n)产生了未知的缓发质子先驱核¹²¹Ce ,并利用氦喷嘴快速带传输系统和“p-γ”符合方法对它进行了鉴别 .测定了¹²¹Ce的半衰期 ( 1.1±0 .1 )s,观测了它的β缓发质子能谱 ,粗略地估计了它的β缓发质子衰变道的分支比约为1% .首次观测了先驱核¹¹⁹Ba,¹²¹Ba和¹²²La经过β缓发衰变在“子核”中产生的低位能级到基态的γ 跃迁.     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

Prisoner＇s Dilemma Game with Heterogeneous Influential Effect on Regular Small-World Networks

The effect of heterogeneous influence of different individuals on the maintenance of co-operative behaviour is studied in an evolutionary Prisoner＇s Dilemma game with players located on the sites of regular small-world networks. The players interacting with their neighbours can either co-operate or defect and update their states by choosing one of the neighbours and adopting its strategy with a probability depending on the pay off difference. The selection of the neighbour obeys a preferential rule： the more influential a neighbour, the larger the probability it is picked. It is found that this simple preferential selection rule can promote continuously the co-operation of the whole population with the strengthening of the disorder of the underlying network.     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论     

铁电体表面效应的唯象理论及其与横场Ising模型的关系

分析了铁电体横场Ising模型与Landau唯象理论的关系,得出了有表面的铁电体的Landau自由能表达式,指出原有的表达式中面积分部分仅含与极化平方成正比的项只在特殊情况下成立,一般情况下还应包含与极化四次方成正比的项.利用所得出的自由能表达式,计算了铁电薄膜自发极化和Curie温度与厚度的关系,使原先用唯象理论不能理解的一些实验现象得到了解释     

晶态-非晶态复合锂离子导体的电学性质

本文研究了晶态LiCl-非晶态Li₂O·3B₂O₃复合锂离子导体的电学性质。实验发现这种晶态-非晶态新型复合离子导体的电学性质变化具有新的现象,即在宏观电导率σ_m-组成曲线上出现了电导率增加的“双峰”效应。相应地,在表观活化能E_m-组成曲线和介电常数ε_m-组成曲线上出现了“双谷”。本文还详细讨论了这些实验现象,得到了与理论相符合的结果。 关键词：     

电子顺磁共振“AsGa”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理

根据Goltzene等人最近关于原生LEC,HB,压缩变形和中子辐照GaAs中电子顺磁共振(EPR)“As_Ga”谱低温光淬灭实验结果,结合Baraff和Schlüter最近关于EL2亚稳态的理论计算,本文认为可进一步证实作者之一在1981年提出的EL2(As_GaV_AsV_Ga)缺陷模型,同时还对Wager和Van Vechten最近提出的EL2(As_GaV_AsV_Ga)的亚稳态机理加以评述和修正。 关键词：