储蓄——收入模型的转变点分析

本文利用线性回归模型分析改革开放以来我国居民储蓄与收入的关系 ,并引入转变点理论研究二者关系发生结构性转变的问题 ,最后讨论了影响储蓄增长的几个因素 .实证研究表明 ,90年代以来 ,随着经济环境的巨大变化 ,居民储蓄与收入的关系有所改变 ,储蓄的增长速度已经超过了收入的增长速度 .我们的研究还表明 ,当用时间跨度较大的样本时 ,结论虽符合长期趋势 ,但考虑到其可信度及从时效性角度看对近期宏观政策的现实指导意义 ,常规的回归分析应该加入转变点检验 ,以防忽略系统结构性转变 .     

广义向量均衡问题的解与解集的凸性

引进集值映射的锥真拟凹概念，讨论一类具有集值映射的广义向量衡问题解的存在性与解集的凸性。     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

关于均值KIRCHHOFF板非线性边界镇定问题的几点注记

对于均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题给出几点注记.首先应用G reen公式对具有非线性边界反馈控制的均值K IRCHHOFF板所决定的非线性系统的能量衰减速度进行了重新推导,从而修正了前人的结果.然后应用极大单调函数的定义和分部积分技巧,对均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题所决定的非线性算子A的极大单调性给出了重新证明,进而更正了已有文献中相应证明的欠妥之处.     

新显色剂对羧基苯基重氮氨基偶氮苯的合成及与镉显色反应的研究

本文报道了新色剂对羟基苯基重氮氨基偶氮苯的合成。     

铜基甲醇合成催化剂TPR导数谱

铜基甲醇合成催化剂ＴＰＲ导数谱胡云行，万惠霖，蔡启瑞（厦门大学化学系，固体表面物理化学国家重要实验室，厦门，３６１００５）关键词ＴＰＲ，导数谱，铜基催化剂ＴＰＲ是非稳态条件下研究催化剂的有效方法。该法具有设备简单、快速和信息量大等特点，已成为常用的催...     

Zircon SHRIMP age of Mesoarchaean meta-argilloarenaceous rock in the Anshan area and its geological significance

In order to better understand the early continental evolution of the Anshan area, one ofthe typical Precambrian distribution areas of the North China Craton, the geochronology and REEcomposition of the zircons from the meta-argillo-arenaceous rock occurred as enclave in 3.1 GaLishan trondhjemite are studied by using SHRIMP ll ion microprobe. It is indicated that the Pa-leoarchaean is a very important continental formation period in the Anshan area and 3.2 Ga can beregarded as the boundary between the Paleoarchaean and Mesoarchaean.     

STUDIES ON ION IMPLANTATION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYACETYLENE FILMS

The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed.     

聚合物支载噁唑类化合物在不对称反应中的应用

聚合物支载噁唑类化合物主要包括聚合物支载噁唑烷酮、噁唑啉和硼杂噁唑啉等,其在不对称反应中主要用作手性助剂、手性催化剂及催化剂配体.由于其便于分离提纯、可以回收重复使用且立体选择性没有明显降低等优点在不对称反应中得到了广泛的应用.综述了近年来聚合物支载的噁唑类化合物在不对称反应中的应用