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161.
Theoretical studies point to significant improvements in the performance of semiconductor laser amplifiers by injecting carriers with pulsed electric currents of sub-nanosecond duration. A pulsed Fabry-Perot amplifier (FPA) is most sensitive to input lightwave at the instant the carrier density is crossing the critical region, and gives a sharply pulsed sampling effect on the input lightwave signal. Compared with a FPA operating at subcritical electron density, the pulsed amplifier gives much higher gain, peak power, and bandwidth. In fact, pulsed operation of a FPA is also expected to give significantly higher gain and about the same peak output power as a traveling wave amplifier. Pulsed operation also improves the performance of a traveling wave amplifier by attenuating its internally reflected waves 相似文献
162.
采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论. 相似文献
163.
164.
Tai-Man Tang 《Journal of Mathematical Sciences》2007,144(5):4504-4510
Wildly embedded tiles in ℝ3 with spherical boundary are discussed. The construction of the topologically complicated, crumpled cube tiles is reviewed.
We construct an infinite family of wildly embedded, cellular tiles with Fox-Artin-type wild points. Finally, a condition on
the set of wild points on a cellular tile is given to show that certain wild cells cannot be tiles. Several observations are
recorded for further investigations.
__________
Translated from Fundamentalnaya i Prikladnaya Matematika, Vol. 11, No. 4, pp. 203–211, 2005. 相似文献
165.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
166.
167.
168.
Meihua Lu H. Gong T. Song Jian-Ping Wang Hong-Wei Zhang T.J. Zhou 《Journal of magnetism and magnetic materials》2006
We present a simple way to synthesize FePt and ZnO (wide-band-gap semiconductor) nanoparticle composites. The FePt nanoparticles were fabricated using the method reported by Sun et al. By controlling the heating rate, 3 nm FePt nanoparticles were synthesized. Well-dispersed FePt and ZnO nanoparticle composites were prepared by further adding zinc acetate and oleyl amine into the 3 nm FePt nanoparticle dispersion. By controlling the molar ratio of the FePt and zinc acetate, FePt and ZnO nanoparticle composites with different FePt particle fractions were obtained. The intensity of photo luminescence spectra of the nanoparticle composites increases very much with decreasing FePt particle fraction, whereas the peak position shifts a little. After annealing at 550 °C for half an hour, the nanoparticle composites become magnetically hard or semi-hard with coercivity much dependent on the FePt particle volume fraction. The coercivity of the composites increases with annealing temperature. The composites hold the promise of applications in new generation recording and/or optical devices. 相似文献
169.
170.
In this paper the authors establish the concept of generalized ball-intersection (GBI) and prove that an injective metric space is freely contractible to its each GBI, which generalizes a result of Isbell from a point to a GBI. 相似文献