Two New Diterpene Acetylxylosides from Aster veitchianus

Two new acetylxylosides,ent-manool-13-O-β-D-2′-acetylxylopyranoside(1)and entmanool-13-O-β-D-2′,4′-diacetylxylopyranoside(2)were isolated from Aster veitchianus.Their structures were elucidated by spectroscopic methods.     

Riemann曲面上的正常和拟正常复合算子

Riemann曲面M上的平方可测1-形式全体和解析1-形式全体均可构成Hilbert空间。本文讨论Riemann曲面上的解析映射导出的这类Hilbert空间上的复合算子,研究复合算子的正常性、拟正常性的诱导映射特征。特别地,当M有有限三角剖分时,证明了正常复合算子、拟正常复合算子、酉复合算子、等距复合算子和可逆复合算子等价。     

氩气介质阻挡放电的发光特性

本文使用水电极介质阻挡放电装置,采用光学方法测量了氩气介质阻挡放电的发光特性。发现在驱动电压处于一定的范围内时,放电处于丝极模式,在驱动电压的每半周期内,无论是放电的总光还是单个微通道的放电发光均只有一次脉冲,单个微放电的时间为2μs,而总放电时间为2.4μs,这表明在氩气的丝极模式中,各单丝产生与熄灭的时间极其接近,各个放电丝之间有着很好的时间相关性。最后将本文的结果与空气中介质阻挡放电丝极模式的发光特性相比较,空气放电在每半周内的总光信号由多个脉冲组成,而每一个脉冲对应多个放电丝,因而氩气中各个放电微通道之间的时间相关性远强于空气的情况。     

光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U³CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10^-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.     

一种新型半桥不对称PW M控制变换器

介绍了一种适用于DC／DC半桥变换的不对称PWM控制方案，分析了电路的工作原理，给出了150W变换器的仿真波形和实验结论，结果表明，该控制方案能在恒定开关频率下对变换器实现高效率的软开关控制。     

LD抽运Cr~(4 )∶YAG高重复率被动调QNd∶YVO_4激光器

采用Cr4 ∶YAG晶体作为可饱和吸收体,实现连续激光二极管(LD)端面抽运的Nd∶YVO4激光器的高重复率被动调Q·在注入抽运功率为8.8W时,得到重复频率23.8kHz、平均功率1.21W的调Q脉冲序列;每个脉冲能量为51μJ、脉宽为25ns、峰值功率达到2.03kW·实验上研究了脉冲重复频率、平均输出功率、脉冲宽度、单脉冲能量与抽运功率、输出镜透过率的关系·实验结果表明,当抽运功率较大时,脉冲重复频率和输出平均功率随着抽运功率的增加而减小,对此进行了合理的理论解释·     

REM树脂的制备及亲核加成应用研究

用Mitsunobu反应及丙烯酰氯酰化反应制备了用于固相有机合成的载体REM树脂，将REM树脂与苄胺加成，考查了所合成REM树脂的反应性能，并通过元素分析测定氮含量，推出REM树脂的烯丙基固载量。利用所合成的REM树脂进行了与胺、酚的加成反应动力学研究。结果表明，REM树脂与脂肪族伯胺和促胺的加成反应能够进行，与苯胺不发生反应；REM树脂与酚不能发生亲核加成反应。     

开关电源的噪声及其抑制

介绍开关电源的常态噪声和共态噪声产生的原因，以及几种抑制噪声的方法。     

倒置结构锥形束计算机层析的精确成像与Grangeat算法实现

研究了一种新的圆加垂直单弧段的锥顶轨迹的锥形束计算机层析（CT）的完全性条件和精确重建的Grangeat方法，提出了倒置结构锥形束计算机层析的便于实现的圆加垂直多弧段的成像结构及进行精确重建的完全性条件。利用倒置成像结构与现有成像结构之间的等价关系，给出了倒置结构锥形束计算机层析的重建算法。最后，对上述几方面进行了计算机模拟。     

DC-DC变换器突加负载时的动态性能研究

提出了一种能够有效改善DC-DC变换器动态性能的方案。该方案是在全桥电路基础上并联一单端正激变换电路，使变换器负载从10%轻载突加到100%满载时，其暂态过程小于1μs输出电压达到设计要求。文中对具体电路进行了详细分析，并通过仿真进行了验证。