The 3D electronic band calculation of nickel by the extended Hu¨ckel method

An expression for the calculation of 3d electronic band structures of metallic nickel is given in the tight-binding scheme using the extended Hu¨ckel method. An explicit formulation in the nearest neighbor approximation is given and the accuracy of the nearest neighbor approximation is discussed. It is found that when a combination of two Slater wave functions is used for each 3d orbital, and when overlap matrix elements between neighbors are included until convergence is achieved, the resulting 3d band structures and band width agree well with those obtained from ab initio tight-binding calculations. For nickel, this calculation gives a 3d band width of 2.48 eV, a degeneracy temperature of 2.8 × 10³ K and a linear, low temperature electronic heat coefficient of 1.9 × 10^?3 cal mol^?1 deg^?2.     

1.3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器

本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。     

多项式矩阵理论在网络分析中的应用

本文应用基本回路矩阵Ｂ、基本割集矩阵Ｑ和支路伏安特性矩阵［Ｙ（ｓ）Ｚ（ｓ）］列写出线性时不变有源网络的网络矩阵Ｐ（ｓ），借助于多项式矩阵理论中有关解耦零点的概念和理论，研究了网络的复杂度和稳定性。和文献［３］相比，不仅降低Ｐ（ｓ）阶次，减少了运算，且研究了复杂度。     

Möbius Homogeneous Hypersurfaces with One Simple Principal Curvature in Sn+1

Let Möb(Sⁿ⁺¹) denote the Möbius transformation group of Sⁿ⁺¹. A hypersurface f:Mⁿ → Sⁿ⁺¹ is called a Möbius homogeneous hypersurface, if there exists a subgroup G ? Möb(Sⁿ⁺¹) such that the orbit G(p)={φ(p)|φ ∈ G}=f(Mⁿ), p ∈ f(Mⁿ). In this paper, we classify the Möbius homogeneous hypersurfaces in Sⁿ⁺¹ with at most one simple principal curvature up to a Möbius transformation.     

0.14THz高功率太赫兹脉冲的频率测量

提出了采用截止波导法与谐波混频法相结合的方式,进行0.14THz高功率短脉冲的频率测量.首先将两个截止频率分别为0.125和0.15THz的非标准矩形波导作为接收端,通过截止波导滤波法获得了太赫兹辐射源的频率范围.然后根据已知的频率范围,将本振频率选择为15—20GHz,则谐波混频的谐波次数确定为8.随后的Ka波段的脉冲测试和0.14THz连续波测试表明,该8次谐波混频器可用于0.14THz脉冲的混频测量.最后,0.14THz脉冲频率测量实验给出了太赫兹辐射源的准确频率为0.1465THz.该方法大大降低了对本振信号的频率要求,且结果准确可信,为长波段太赫兹脉冲的频率测量提供了一种新的思路.     

箍缩背光照相

 利用PPG-Ⅰ脉冲功率装置（500 kV,400 kA,100 ns）驱动X箍缩负载,得到了μm量级的亚纳秒脉冲X射线辐射点源。在阴阳极轴线和回流柱上同时安装X箍缩负载,前者可作为背光照相的X射线点源;后者可作为被拍照的目标X箍缩。获得了X箍缩发展过程不同时刻的时间序列图像,在背光照相的图像中可以清晰观察到X箍缩交叉点处等离子体的外爆、箍缩以及最终的崩溃阶段。将阴阳极轴线上的X箍缩负载用Z箍缩丝阵负载代替,实现了对丝阵负载Z箍缩放电起始阶段的X射线背光照相,观察到了最初的各单丝电爆炸、等离子体膨胀及融合过程,同时观察到了双丝Z箍缩发展过程中的等离子体不稳定性。实验结果有助于深入理解Z箍缩发展的物理过程,同时可为有效的模拟建模分析提供基本的实验数据。