GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

Convex functions, subdifferentiability and renormings

This paper through discussing subdifferentiability and convexity of convex functions shows that a Banach space admits an equivalent uniformly [locally uniformly, strictly] convex norm if and only if there exists a continuous uniformly [locally uniformly, strictly] convex function on some nonempty open convex subset of the space and presents some characterizations of super-reflexive Banach spaces. Supported by NSFC     

R&D activities on wireless systems in China

Various wireless systems and the research preceding their practical use in China are described. The topics discussed include research establishments, research and development projects underway, challenges inherent to digital radio, and expansion opportunities afforded by satellite communications     

固体间界面的物理模型和界面对声波的反射

简要描述了模拟两固体间界面特性的弹簧模型，该模型最早是根据静力学方法提出的，后来用固体间界面薄层的声波反射方法加以改进，从界面弹簧模型可以方便地得到界面外近似边界条件，其中包含界面“弹簧”振子的劲度常数和质量，文章还给出了两相间固体中界面声反射系数的表达式，介绍了测量界面劲度常数的超声反射谱方法。最后讨论了仍关声波与界面相互作用研究领域中最近的一些研究进展。     

静磁场伴随有静电场存在

阐述检测物体是否产生了电场的方法；通过实际检测证实立方体永磁体既产生了负静电场，也产生了正静电场，并测定了具体的场强．     

方程w"-w+f(t,w)=O的Dirichlet边值问题的正解存在性与多解性

考察了下列常微分方程的Dirichlet边值问题的正解[w″(t)-w(t) f(t,w(t))=0,0≤t≤1 w(0)=w(1)=0建立了n正解的存在性，其中n是一个任意的自然数。     

单甲基原位改性SiO2疏水减反膜的制备与性能研究

 在碱性条件下通过TEOS和MTES的共水解缩聚反应制备了单甲基原位改性的SiO₂溶胶，并使用提拉法在K9玻璃基片上镀制了疏水减反膜。通过透射电镜（TEM）考察了镀膜溶胶的微结构，分别使用红外光谱（FTIR）分析了薄膜的组分，用原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的表面形貌和起伏状况，用紫外可见光谱（UV-vis）考察了薄膜的减反射性能，用接触角仪测量了薄膜对水的接触角。并使用“R-on-1”的方式测量了薄膜在Nd:YAG激光（1 064 nm，1 ns）作用下的损伤阈值。结果表明，通过共水解缩聚反应可以把甲基引入镀膜溶胶簇团中，改善了溶胶簇团的网络结构，使薄膜得到相当好的疏水性能和更好的抗激光损伤性能，同时薄膜能保持较好的减反射性能。     

我国上市公司资本结构决策的实证研究

本在已有资本结构理论研究成果的基础上，对30家沪市上市公司的资本结构进行了实证研究，提出了在我国资本市场环境下优化企业资本结构的对策建议。     

从诺贝尔物理学奖看光学的发展

从一个新的角度分析、讨论了光学的发展过程.并对光学今后的发展做了展望.     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。