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91.
High performance CMOS current comparator 总被引:1,自引:0,他引:1
A new high-speed CMOS current comparator is described. By changing the buffer of an existing comparator from class B to class AB operation, voltage swings are reduced, resulting in greater speed for small input currents. Simulation results employing a 1.6μm CMOS technology show the response time to a 0.1μA input current to be 11ns and the power dissipation to be 1.4mW, resulting in a five times improvement in speed/power ratio over existing high-speed current comparators 相似文献
92.
Tan Fu Lei Tang Po Chen Horng-Chih Lin Chun-Yen Chang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(12):2104-2110
A new material, Si-B, is proposed as a solid diffusion source for fabrication of poly-Si contacted p+-n shallow junctions. The junction depth of the Si-B source diode has been measured and compared with that of a BF2+-implanted poly-Si source diode. It was found that the Si-B source diode had a much shallower junction and was less sensitive to thermal budget than the BF2+ source diode. This was attributed to the smaller surface concentration and diffusivity of boron in the silicon in Si-B source diodes. Regarding electrical characteristics of diodes with a junction depth over 500 Å, a forward ideality factor of better than 1.01 over 8 decades and a reverse-current density lower than 0.5 nA/cm2 at -5 V were obtained. As the junction depth shrank to 300 Å, the ideality factor and reverse current density of diodes increased slightly to 1.05 and 1.16 nA/cm2, respectively. These results demonstrated that a uniform ultrashallow p+-n junction can be obtained by using a thin Si-B layer as a diffusion source 相似文献
93.
94.
95.
96.
We report measurements on the phase dynamics of a detuned single mode laser which has in the past shown correspondence to the complex Lorenz equation. The corresponding ranges of periodic pulsing, of detuned chaos and of windows within the chaotic domain are investigated.Invited paper 相似文献
97.
采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论. 相似文献
98.
99.
Tai-Man Tang 《Journal of Mathematical Sciences》2007,144(5):4504-4510
Wildly embedded tiles in ℝ3 with spherical boundary are discussed. The construction of the topologically complicated, crumpled cube tiles is reviewed.
We construct an infinite family of wildly embedded, cellular tiles with Fox-Artin-type wild points. Finally, a condition on
the set of wild points on a cellular tile is given to show that certain wild cells cannot be tiles. Several observations are
recorded for further investigations.
__________
Translated from Fundamentalnaya i Prikladnaya Matematika, Vol. 11, No. 4, pp. 203–211, 2005. 相似文献
100.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献